半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
6期
902-908
,共7页
马平%魏同波%段瑞飞%王军喜%李晋闽%曾一平
馬平%魏同波%段瑞飛%王軍喜%李晉閩%曾一平
마평%위동파%단서비%왕군희%리진민%증일평
HVPE%GaN%蓝宝石衬底
HVPE%GaN%藍寶石襯底
HVPE%GaN%람보석츤저
采用氢化物气相外延(HVPE)方法,以蓝宝石作衬底,分别在MOCVD-GaN模板和蓝宝石衬底上直接外延生长GaN.模板上的GaN生长表面平整、光亮,但开裂严重.其(0002)的双晶衍射半高宽最低为141″;蓝宝石衬底上直接生长GaN外延层质量较差,其双晶衍射半高宽为1688″,但不发生开裂.HCl的载气流量对预反应有很大的影响.应力产生于外延层和衬底之间的界面处,界面孔洞的存在可以释放应力,减少开裂.光致发光(PL)谱中氧杂质引起强黄光发射.
採用氫化物氣相外延(HVPE)方法,以藍寶石作襯底,分彆在MOCVD-GaN模闆和藍寶石襯底上直接外延生長GaN.模闆上的GaN生長錶麵平整、光亮,但開裂嚴重.其(0002)的雙晶衍射半高寬最低為141″;藍寶石襯底上直接生長GaN外延層質量較差,其雙晶衍射半高寬為1688″,但不髮生開裂.HCl的載氣流量對預反應有很大的影響.應力產生于外延層和襯底之間的界麵處,界麵孔洞的存在可以釋放應力,減少開裂.光緻髮光(PL)譜中氧雜質引起彊黃光髮射.
채용경화물기상외연(HVPE)방법,이람보석작츤저,분별재MOCVD-GaN모판화람보석츤저상직접외연생장GaN.모판상적GaN생장표면평정、광량,단개렬엄중.기(0002)적쌍정연사반고관최저위141″;람보석츤저상직접생장GaN외연층질량교차,기쌍정연사반고관위1688″,단불발생개렬.HCl적재기류량대예반응유흔대적영향.응력산생우외연층화츤저지간적계면처,계면공동적존재가이석방응력,감소개렬.광치발광(PL)보중양잡질인기강황광발사.
