微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2007年
5期
219-224
,共6页
陈长春%刘江锋%余本海%戴启润
陳長春%劉江鋒%餘本海%戴啟潤
진장춘%류강봉%여본해%대계윤
纳米异质外延%应变%晶格失配薄膜材料
納米異質外延%應變%晶格失配薄膜材料
납미이질외연%응변%정격실배박막재료
纳米异质外延技术是制备高失配半导体薄膜的一种纳米制作技术路线,随着超大规模集成电路纳米图样加工技术的进步,它将在制备无缺陷密度且单晶品质完美的高失配半导体薄膜材料中发挥巨大的作用.详细地综述了纳米异质外延技术的原理,介绍了纳米图样制作技术并展示了运用纳米异质外延技术在Si(111)衬底上实现高失配GaN(失配度为20%)薄膜材料及在Si(100)衬底上实现InP薄膜材料的高品质单晶外延生长.
納米異質外延技術是製備高失配半導體薄膜的一種納米製作技術路線,隨著超大規模集成電路納米圖樣加工技術的進步,它將在製備無缺陷密度且單晶品質完美的高失配半導體薄膜材料中髮揮巨大的作用.詳細地綜述瞭納米異質外延技術的原理,介紹瞭納米圖樣製作技術併展示瞭運用納米異質外延技術在Si(111)襯底上實現高失配GaN(失配度為20%)薄膜材料及在Si(100)襯底上實現InP薄膜材料的高品質單晶外延生長.
납미이질외연기술시제비고실배반도체박막적일충납미제작기술로선,수착초대규모집성전로납미도양가공기술적진보,타장재제비무결함밀도차단정품질완미적고실배반도체박막재료중발휘거대적작용.상세지종술료납미이질외연기술적원리,개소료납미도양제작기술병전시료운용납미이질외연기술재Si(111)츤저상실현고실배GaN(실배도위20%)박막재료급재Si(100)츤저상실현InP박막재료적고품질단정외연생장.
