半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
4期
744-746
,共3页
吴远大%夏君磊%安俊明%李建光%王红杰%胡雄伟
吳遠大%夏君磊%安俊明%李建光%王紅傑%鬍雄偉
오원대%하군뢰%안준명%리건광%왕홍걸%호웅위
紫外写入%折射率%光波导%分束器
紫外寫入%摺射率%光波導%分束器
자외사입%절사솔%광파도%분속기
研究了采用PECVD方法生长的Si基SiO2波导材料的光敏特性.经过高压载氢处理,利用KrF准分子激光脉冲(工作波长为248nm)在波导材料中诱导出的折射率变化量达到0.005,相对值约增加0.34%.详细研究了紫外光诱导出的折射率变化沿样品深度方向的分布情况.最后,采用紫外写入法在PECVD方法生长的Si基SiO2波导芯层中制备出了单模波导和Y分束器样品,并观测到了通光现象,实测结果与模拟结果一致.
研究瞭採用PECVD方法生長的Si基SiO2波導材料的光敏特性.經過高壓載氫處理,利用KrF準分子激光脈遲(工作波長為248nm)在波導材料中誘導齣的摺射率變化量達到0.005,相對值約增加0.34%.詳細研究瞭紫外光誘導齣的摺射率變化沿樣品深度方嚮的分佈情況.最後,採用紫外寫入法在PECVD方法生長的Si基SiO2波導芯層中製備齣瞭單模波導和Y分束器樣品,併觀測到瞭通光現象,實測結果與模擬結果一緻.
연구료채용PECVD방법생장적Si기SiO2파도재료적광민특성.경과고압재경처리,이용KrF준분자격광맥충(공작파장위248nm)재파도재료중유도출적절사솔변화량체도0.005,상대치약증가0.34%.상세연구료자외광유도출적절사솔변화연양품심도방향적분포정황.최후,채용자외사입법재PECVD방법생장적Si기SiO2파도심층중제비출료단모파도화Y분속기양품,병관측도료통광현상,실측결과여모의결과일치.
