光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2006年
3期
280-284
,共5页
表面和界面特性%X射线光电子能谱(XPS)%化学位移%ITO/PTCDA/p-Si
錶麵和界麵特性%X射線光電子能譜(XPS)%化學位移%ITO/PTCDA/p-Si
표면화계면특성%X사선광전자능보(XPS)%화학위이%ITO/PTCDA/p-Si
界面态对于薄膜器件的性能具有非常重要的影响.有米用真空蒸发和溅射沉积的方法制备了ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件,并采用X射线光电子能谱(XPS)和Ar+溅射技术对其表面和界面电子态进行了研究.结果表明,在ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件的界面,不仅ITO与PTCDA薄膜之间存在扩散,PTCDA与Si衬底材料之间也存在扩散现象.此外,每种原子的XPS谱表现出一定的化学位移,并以C1s和O1s谱的化学位移最为显著.
界麵態對于薄膜器件的性能具有非常重要的影響.有米用真空蒸髮和濺射沉積的方法製備瞭ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件,併採用X射線光電子能譜(XPS)和Ar+濺射技術對其錶麵和界麵電子態進行瞭研究.結果錶明,在ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件的界麵,不僅ITO與PTCDA薄膜之間存在擴散,PTCDA與Si襯底材料之間也存在擴散現象.此外,每種原子的XPS譜錶現齣一定的化學位移,併以C1s和O1s譜的化學位移最為顯著.
계면태대우박막기건적성능구유비상중요적영향.유미용진공증발화천사침적적방법제비료ITO/PTCDA/p-Si박막기건,병채용X사선광전자능보(XPS)화Ar+천사기술대기표면화계면전자태진행료연구.결과표명,재ITO/PTCDA/p-Si박막기건적계면,불부ITO여PTCDA박막지간존재확산,PTCDA여Si츤저재료지간야존재확산현상.차외,매충원자적XPS보표현출일정적화학위이,병이C1s화O1s보적화학위이최위현저.
