电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2006年
3期
37-39
,共3页
王林斗%王可%匡俊华%高明皓
王林鬥%王可%劻俊華%高明皓
왕림두%왕가%광준화%고명호
无机非金属材料%纳米薄膜%自组装单层膜%SnO2薄膜
無機非金屬材料%納米薄膜%自組裝單層膜%SnO2薄膜
무궤비금속재료%납미박막%자조장단층막%SnO2박막
利用自组装单层膜法,在单晶硅基底上生长有机硅烷单分子膜层,并在硅烷的功能性基团上,诱导生成二氧化锡纳米薄膜,通过XPS、AFM、SEM及XRD等手段对膜材料的表面形貌和结构进行了分析.结果表明:自组装单层法制备的SnO2薄膜为晶态膜,膜层致密、均一,厚度约为20 nm,结构为金红石结构.
利用自組裝單層膜法,在單晶硅基底上生長有機硅烷單分子膜層,併在硅烷的功能性基糰上,誘導生成二氧化錫納米薄膜,通過XPS、AFM、SEM及XRD等手段對膜材料的錶麵形貌和結構進行瞭分析.結果錶明:自組裝單層法製備的SnO2薄膜為晶態膜,膜層緻密、均一,厚度約為20 nm,結構為金紅石結構.
이용자조장단층막법,재단정규기저상생장유궤규완단분자막층,병재규완적공능성기단상,유도생성이양화석납미박막,통과XPS、AFM、SEM급XRD등수단대막재료적표면형모화결구진행료분석.결과표명:자조장단층법제비적SnO2박막위정태막,막층치밀、균일,후도약위20 nm,결구위금홍석결구.
