人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2006年
1期
123-126,118
,共5页
Zn1-xMgxS多晶薄膜%磁控溅射%晶体结构%紫外吸收%光致发光
Zn1-xMgxS多晶薄膜%磁控濺射%晶體結構%紫外吸收%光緻髮光
Zn1-xMgxS다정박막%자공천사%정체결구%자외흡수%광치발광
利用双靶磁控溅射法,在普通石英玻璃基底上成功制备出Ⅱ-Ⅵ族化合物固溶体半导体Zn1-xMgxS多晶薄膜,并用X射线能量色散谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见(UV-Vis)分光光度计、荧光分光光度计(PL)等测试手段表征了多晶薄膜的成份、表面形貌、晶体结构和光学性质.结果表明:磁控溅射法制备的Zn1-xMgxS多晶薄膜具有立方和六方相混晶相结构,晶粒生长均匀,薄膜在波长小于280nm的紫外区有强烈的吸收,在可见光区紫光范围有一个强的发光峰,而且随着Mg含量的增加,强度增加,吸收边和发光峰的蓝移也增加.蓝移说明了带隙的展宽,其禁带宽度大约从3.6eV增至4.4eV.较高的结晶质量和发光特性显示了它是一种制作短波光电器件和紫外探测器的理想材料.
利用雙靶磁控濺射法,在普通石英玻璃基底上成功製備齣Ⅱ-Ⅵ族化閤物固溶體半導體Zn1-xMgxS多晶薄膜,併用X射線能量色散譜儀(EDS)、原子力顯微鏡(AFM)、X射線衍射儀(XRD)、紫外-可見(UV-Vis)分光光度計、熒光分光光度計(PL)等測試手段錶徵瞭多晶薄膜的成份、錶麵形貌、晶體結構和光學性質.結果錶明:磁控濺射法製備的Zn1-xMgxS多晶薄膜具有立方和六方相混晶相結構,晶粒生長均勻,薄膜在波長小于280nm的紫外區有彊烈的吸收,在可見光區紫光範圍有一箇彊的髮光峰,而且隨著Mg含量的增加,彊度增加,吸收邊和髮光峰的藍移也增加.藍移說明瞭帶隙的展寬,其禁帶寬度大約從3.6eV增至4.4eV.較高的結晶質量和髮光特性顯示瞭它是一種製作短波光電器件和紫外探測器的理想材料.
이용쌍파자공천사법,재보통석영파리기저상성공제비출Ⅱ-Ⅵ족화합물고용체반도체Zn1-xMgxS다정박막,병용X사선능량색산보의(EDS)、원자력현미경(AFM)、X사선연사의(XRD)、자외-가견(UV-Vis)분광광도계、형광분광광도계(PL)등측시수단표정료다정박막적성빈、표면형모、정체결구화광학성질.결과표명:자공천사법제비적Zn1-xMgxS다정박막구유립방화륙방상혼정상결구,정립생장균균,박막재파장소우280nm적자외구유강렬적흡수,재가견광구자광범위유일개강적발광봉,이차수착Mg함량적증가,강도증가,흡수변화발광봉적람이야증가.람이설명료대극적전관,기금대관도대약종3.6eV증지4.4eV.교고적결정질량화발광특성현시료타시일충제작단파광전기건화자외탐측기적이상재료.
