安徽电子信息职业技术学院学报
安徽電子信息職業技術學院學報
안휘전자신식직업기술학원학보
JOURNAL OF ANHUI VOCATIONAL COLLEGE OF ELECTRONICS & INFORMATION TECHNOLOGY
2005年
2期
64-65
,共2页
Flash Memory%低功耗%电子注入
Flash Memory%低功耗%電子註入
Flash Memory%저공모%전자주입
Flash Memory由于其具有非挥发电可编程及片擦除的特性而倍受用户欢迎,经历过高速发展时期而供过于求.随着嵌入武系统和移动通信的发展及集成电路特征尺寸的减小,对低功耗和更块的擦写速度提出了新的要求.本文从传统Flash Memory的结构缺陷上分析,为降低功耗及提高擦写速度方面提出了改进方法,并介绍了Flash Memory技术的发展趋势.
Flash Memory由于其具有非揮髮電可編程及片抆除的特性而倍受用戶歡迎,經歷過高速髮展時期而供過于求.隨著嵌入武繫統和移動通信的髮展及集成電路特徵呎吋的減小,對低功耗和更塊的抆寫速度提齣瞭新的要求.本文從傳統Flash Memory的結構缺陷上分析,為降低功耗及提高抆寫速度方麵提齣瞭改進方法,併介紹瞭Flash Memory技術的髮展趨勢.
Flash Memory유우기구유비휘발전가편정급편찰제적특성이배수용호환영,경력과고속발전시기이공과우구.수착감입무계통화이동통신적발전급집성전로특정척촌적감소,대저공모화경괴적찰사속도제출료신적요구.본문종전통Flash Memory적결구결함상분석,위강저공모급제고찰사속도방면제출료개진방법,병개소료Flash Memory기술적발전추세.