a-Si:H/SiO2多层膜中的脉冲激光诱导限制结晶
a-Si:H/SiO2다층막중적맥충격광유도한제결정
The Constrained Crystallization of a- Si:H/SiO2 Multilayer Induced by Pulsed Laser
  • 万方数据
    山东科技大学学报(自然科学版) 산동과기대학학보(자연과학판)
    JOURNAL OF SHANDONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
    2003年 z1期 63-64 ,共2页

    乔峰%隋妍萍%马忠元%李鑫%严晓明%黄信凡%陈坤基

    교봉%수연평%마충원%리흠%엄효명%황신범%진곤기

    脉冲激光%多层膜%限制结晶 脈遲激光%多層膜%限製結晶
    맥충격광%다층막%한제결정
    利用等离子增强化学气相淀积(PECVD)技术制备a-Si:H/SiO2多层膜,并采用脉冲激光诱导限制结晶的方法,对a-Si:H/SiO2多层膜进行晶化.喇曼(Raman)散射谱的结果表明经过激光辐照后纳米硅颗粒在原始的a-Si:H子层形成,且尺寸可以精确控制.
    이용등리자증강화학기상정적(PECVD)기술제비a-Si:H/SiO2다층막,병채용맥충격광유도한제결정적방법,대a-Si:H/SiO2다층막진행정화.나만(Raman)산사보적결과표명경과격광복조후납미규과립재원시적a-Si:H자층형성,차척촌가이정학공제.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문