合肥工业大学学报(自然科学版)
閤肥工業大學學報(自然科學版)
합비공업대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF HEFEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
2003年
3期
452-455
,共4页
严少平%汪贵华%李锋%顾广颐
嚴少平%汪貴華%李鋒%顧廣頤
엄소평%왕귀화%리봉%고엄이
变角XPS技术%光电子峰强度%超薄SiO2层厚度计算
變角XPS技術%光電子峰彊度%超薄SiO2層厚度計算
변각XPS기술%광전자봉강도%초박SiO2층후도계산
采用变角XPS技术分析单晶Si和非晶Si衬底上覆盖SiO2薄层的样品,比较变角XPS定量计算超薄SiO2层厚度的几种方法及特点,从而获得一种比较可靠稳定的分析计算方法.实际应用证明,变角XPS技术可用于MOS集成器件的超薄栅氧化层厚度常规分析和测试.
採用變角XPS技術分析單晶Si和非晶Si襯底上覆蓋SiO2薄層的樣品,比較變角XPS定量計算超薄SiO2層厚度的幾種方法及特點,從而穫得一種比較可靠穩定的分析計算方法.實際應用證明,變角XPS技術可用于MOS集成器件的超薄柵氧化層厚度常規分析和測試.
채용변각XPS기술분석단정Si화비정Si츤저상복개SiO2박층적양품,비교변각XPS정량계산초박SiO2층후도적궤충방법급특점,종이획득일충비교가고은정적분석계산방법.실제응용증명,변각XPS기술가용우MOS집성기건적초박책양화층후도상규분석화측시.
