中国科学B辑
中國科學B輯
중국과학B집
SCIENCE IN CHINA (SERIES B)
2001年
5期
468-474
,共7页
方奇%雷虹%刘陟%张斌%孙岳明%麦松威
方奇%雷虹%劉陟%張斌%孫嶽明%麥鬆威
방기%뢰홍%류척%장빈%손악명%맥송위
导电配合物%晶体结构%能带%导电性
導電配閤物%晶體結構%能帶%導電性
도전배합물%정체결구%능대%도전성
合成了导电分子晶体(Me3NEt)[Pd(dmit)2]2和(NEt4)[Pd(dmit)2]2,测定了它们的晶体结构和电导-温度曲线.在能带计算基础上解释了(Me3NEt)[Pd(dmit)2]2的室温电导率(б=58(Ω@cm)-1)高于(NEt4)[Pd(dmit)2]2(б=2.2(Ω@cm)-1)的原因.(Me3NEt)[Pd(dmit)2]2属单斜晶系,P21/m空间群;(NEt4)[Pd(dmit)2]2属三斜晶系,P 1空间群.两种晶体的导电组元皆为平面型配位阴离子[Pd(dmit)2]0 5-,它们以面对面形式的二聚体[Pd(dmit)2]21-存在.凭借肩并肩形式的S…S分子间相互作用,二聚体进一步形成二维导电分子层.两种配合物的二维导电分子层的微小结构差异导致电导率一个数量级的差别.变温电导测定还表明,两种晶体皆为小能隙的半导体.
閤成瞭導電分子晶體(Me3NEt)[Pd(dmit)2]2和(NEt4)[Pd(dmit)2]2,測定瞭它們的晶體結構和電導-溫度麯線.在能帶計算基礎上解釋瞭(Me3NEt)[Pd(dmit)2]2的室溫電導率(б=58(Ω@cm)-1)高于(NEt4)[Pd(dmit)2]2(б=2.2(Ω@cm)-1)的原因.(Me3NEt)[Pd(dmit)2]2屬單斜晶繫,P21/m空間群;(NEt4)[Pd(dmit)2]2屬三斜晶繫,P 1空間群.兩種晶體的導電組元皆為平麵型配位陰離子[Pd(dmit)2]0 5-,它們以麵對麵形式的二聚體[Pd(dmit)2]21-存在.憑藉肩併肩形式的S…S分子間相互作用,二聚體進一步形成二維導電分子層.兩種配閤物的二維導電分子層的微小結構差異導緻電導率一箇數量級的差彆.變溫電導測定還錶明,兩種晶體皆為小能隙的半導體.
합성료도전분자정체(Me3NEt)[Pd(dmit)2]2화(NEt4)[Pd(dmit)2]2,측정료타문적정체결구화전도-온도곡선.재능대계산기출상해석료(Me3NEt)[Pd(dmit)2]2적실온전도솔(б=58(Ω@cm)-1)고우(NEt4)[Pd(dmit)2]2(б=2.2(Ω@cm)-1)적원인.(Me3NEt)[Pd(dmit)2]2속단사정계,P21/m공간군;(NEt4)[Pd(dmit)2]2속삼사정계,P 1공간군.량충정체적도전조원개위평면형배위음리자[Pd(dmit)2]0 5-,타문이면대면형식적이취체[Pd(dmit)2]21-존재.빙차견병견형식적S…S분자간상호작용,이취체진일보형성이유도전분자층.량충배합물적이유도전분자층적미소결구차이도치전도솔일개수량급적차별.변온전도측정환표명,량충정체개위소능극적반도체.
