固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2001年
3期
258-264
,共7页
冯耀兰%魏同立%张海鹏%宋安飞%罗岚
馮耀蘭%魏同立%張海鵬%宋安飛%囉嵐
풍요란%위동립%장해붕%송안비%라람
宽温区%高温%互补金属-氧化物-半导体倒相器%优化设计
寬溫區%高溫%互補金屬-氧化物-半導體倒相器%優化設計
관온구%고온%호보금속-양화물-반도체도상기%우화설계
在对体硅CMOS倒相器直流特性、瞬态特性的高温模型和高温特性深入研究的基础上,提出了高温体硅CMOS倒相器结构参数设计的考虑,给出了宽温区(27～250 ℃)体硅CMOS倒相器优化设计的结果.模拟验证表明,所设计的体硅CMOS倒相器在宽温区能满足下列电学参数设计指标:输出高电平VoH＞4.95 V,输出低电平VoL＜0.05 V,转换电平Vi(27 ℃)＝2.5 V,Vi(250℃)＝2.4 V,上升时间tr(27 ℃)＜110 ns,tr(250 ℃)＜180 ns,下降时间tf(27 ℃)＜110 ns,tf(250 ℃)＜160 ns.
在對體硅CMOS倒相器直流特性、瞬態特性的高溫模型和高溫特性深入研究的基礎上,提齣瞭高溫體硅CMOS倒相器結構參數設計的攷慮,給齣瞭寬溫區(27～250 ℃)體硅CMOS倒相器優化設計的結果.模擬驗證錶明,所設計的體硅CMOS倒相器在寬溫區能滿足下列電學參數設計指標:輸齣高電平VoH＞4.95 V,輸齣低電平VoL＜0.05 V,轉換電平Vi(27 ℃)＝2.5 V,Vi(250℃)＝2.4 V,上升時間tr(27 ℃)＜110 ns,tr(250 ℃)＜180 ns,下降時間tf(27 ℃)＜110 ns,tf(250 ℃)＜160 ns.
재대체규CMOS도상기직류특성、순태특성적고온모형화고온특성심입연구적기출상,제출료고온체규CMOS도상기결구삼수설계적고필,급출료관온구(27～250 ℃)체규CMOS도상기우화설계적결과.모의험증표명,소설계적체규CMOS도상기재관온구능만족하렬전학삼수설계지표:수출고전평VoH＞4.95 V,수출저전평VoL＜0.05 V,전환전평Vi(27 ℃)＝2.5 V,Vi(250℃)＝2.4 V,상승시간tr(27 ℃)＜110 ns,tr(250 ℃)＜180 ns,하강시간tf(27 ℃)＜110 ns,tf(250 ℃)＜160 ns.
