固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2001年
4期
407-414
,共8页
张兆强%郑国祥%黄榕旭%杨兴%邵丙铣%宗祥福
張兆彊%鄭國祥%黃榕旭%楊興%邵丙鐉%宗祥福
장조강%정국상%황용욱%양흥%소병선%종상복
铜布线%镶嵌技术%化学机械抛光%介质材料%介电常数%可靠性
銅佈線%鑲嵌技術%化學機械拋光%介質材料%介電常數%可靠性
동포선%양감기술%화학궤계포광%개질재료%개전상수%가고성
近几年来,随着VLSI器件密度的增加和特征尺寸的减小,铜互连布线技术作为减小互连延迟的有效技术,受到人们的广泛关注.文中介绍了基本的铜互连布线技术,包括单、双镶嵌工艺,CMP工艺,低介电常数材料和阻挡层材料,及铜互连布线的可靠性问题.
近幾年來,隨著VLSI器件密度的增加和特徵呎吋的減小,銅互連佈線技術作為減小互連延遲的有效技術,受到人們的廣汎關註.文中介紹瞭基本的銅互連佈線技術,包括單、雙鑲嵌工藝,CMP工藝,低介電常數材料和阻擋層材料,及銅互連佈線的可靠性問題.
근궤년래,수착VLSI기건밀도적증가화특정척촌적감소,동호련포선기술작위감소호련연지적유효기술,수도인문적엄범관주.문중개소료기본적동호련포선기술,포괄단、쌍양감공예,CMP공예,저개전상수재료화조당층재료,급동호련포선적가고성문제.
