功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2000年
4期
403-405
,共3页
Gex Si1-x%会聚束电子衍射%计算机模拟%应变
Gex Si1-x%會聚束電子衍射%計算機模擬%應變
Gex Si1-x%회취속전자연사%계산궤모의%응변
介绍了会聚束电子衍射(CBED)技术与计算机模拟相结合测定GexSi1-x/ Si化学梯度层中应变分布的实验结果,提供了一种高空间分辨率、高灵敏度,且适用于任何材料系中微区晶格常数测定及应变分布研究的技术途径.
介紹瞭會聚束電子衍射(CBED)技術與計算機模擬相結閤測定GexSi1-x/ Si化學梯度層中應變分佈的實驗結果,提供瞭一種高空間分辨率、高靈敏度,且適用于任何材料繫中微區晶格常數測定及應變分佈研究的技術途徑.
개소료회취속전자연사(CBED)기술여계산궤모의상결합측정GexSi1-x/ Si화학제도층중응변분포적실험결과,제공료일충고공간분변솔、고령민도,차괄용우임하재료계중미구정격상수측정급응변분포연구적기술도경.