半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2000年
12期
1177-1182
,共6页
盛传祥%王兴军%俞根才%黄大鸣
盛傳祥%王興軍%俞根纔%黃大鳴
성전상%왕흥군%유근재%황대명
ZnSe%激子%光致发光
ZnSe%激子%光緻髮光
ZnSe%격자%광치발광
采用分子束外延(MBE)技术,在GaAs(100)衬底上生长了厚度从O.045到1.4μm的ZnSe薄膜.X射线衍射谱证实,随着薄膜厚度的增加,应变逐步弛豫.测量了低温下样品的反射谱和光致发光谱,观察到轻重空穴的能级在不同应变下的分裂、移动和反转,以及激子极化激元(Polariton)对反射谱的影响.也观察到束缚激子发光随着薄膜厚度的变化规律:束缚在中性受主杂质上的束缚激子发光(I1峰)随着薄膜厚度的增加逐渐变弱直至消失,而束缚在中性施主杂质上的束缚激子发光(I2峰)则随着厚度增加逐渐增强.
採用分子束外延(MBE)技術,在GaAs(100)襯底上生長瞭厚度從O.045到1.4μm的ZnSe薄膜.X射線衍射譜證實,隨著薄膜厚度的增加,應變逐步弛豫.測量瞭低溫下樣品的反射譜和光緻髮光譜,觀察到輕重空穴的能級在不同應變下的分裂、移動和反轉,以及激子極化激元(Polariton)對反射譜的影響.也觀察到束縳激子髮光隨著薄膜厚度的變化規律:束縳在中性受主雜質上的束縳激子髮光(I1峰)隨著薄膜厚度的增加逐漸變弱直至消失,而束縳在中性施主雜質上的束縳激子髮光(I2峰)則隨著厚度增加逐漸增彊.
채용분자속외연(MBE)기술,재GaAs(100)츤저상생장료후도종O.045도1.4μm적ZnSe박막.X사선연사보증실,수착박막후도적증가,응변축보이예.측량료저온하양품적반사보화광치발광보,관찰도경중공혈적능급재불동응변하적분렬、이동화반전,이급격자겁화격원(Polariton)대반사보적영향.야관찰도속박격자발광수착박막후도적변화규률:속박재중성수주잡질상적속박격자발광(I1봉)수착박막후도적증가축점변약직지소실,이속박재중성시주잡질상적속박격자발광(I2봉)칙수착후도증가축점증강.
