半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2003年
2期
131-134
,共4页
唐有青%李恒%游志朴%张坤%李仁豪%李作金
唐有青%李恆%遊誌樸%張坤%李仁豪%李作金
당유청%리항%유지박%장곤%리인호%리작금
氦诱生微孔%二极管%热处理%漏电流
氦誘生微孔%二極管%熱處理%漏電流
양유생미공%이겁관%열처리%루전류
高剂量的氦离子注入并热处理在硅中形成对金属具有高吸杂作用的微孔.以低金属杂质浓度的硅平面二极管的反向漏电流为指标,研究了吸除的热处理过程对微孔吸杂效果的影响.在适当的热处理温度和冷却条件下,观测到二极管反向漏电流的显著改善,部分样品漏电流可降低3个数量级.
高劑量的氦離子註入併熱處理在硅中形成對金屬具有高吸雜作用的微孔.以低金屬雜質濃度的硅平麵二極管的反嚮漏電流為指標,研究瞭吸除的熱處理過程對微孔吸雜效果的影響.在適噹的熱處理溫度和冷卻條件下,觀測到二極管反嚮漏電流的顯著改善,部分樣品漏電流可降低3箇數量級.
고제량적양리자주입병열처리재규중형성대금속구유고흡잡작용적미공.이저금속잡질농도적규평면이겁관적반향루전류위지표,연구료흡제적열처리과정대미공흡잡효과적영향.재괄당적열처리온도화냉각조건하,관측도이겁관반향루전류적현저개선,부분양품루전류가강저3개수량급.
