半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2000年
4期
333-339
,共7页
陈开茅%孙文红%吴克%武兰青%周锡煌%顾镇南%卢殿通
陳開茅%孫文紅%吳剋%武蘭青%週錫煌%顧鎮南%盧殿通
진개모%손문홍%오극%무란청%주석황%고진남%로전통
C70%异质结%界面电子态
C70%異質結%界麵電子態
C70%이질결%계면전자태
用深能级瞬态谱和高频电容-电压技术研究了固体C70/Si异质结的界面电子态.研究结果表明在C70/Si的界面上明显存在三个电子陷阱Eit1(0.194)、Eit2(0.262)，Eit3(0.407)和一个空穴陷阱Hit1(0.471)，以及在C70/Si界面附近存在着固体C70的电子和空穴陷阱引起的慢界面态.结果还表明C70膜的生长温度对C70/Si的电学性质有重大影响，200℃生长的C70/Si界面远优于室温生长的.
用深能級瞬態譜和高頻電容-電壓技術研究瞭固體C70/Si異質結的界麵電子態.研究結果錶明在C70/Si的界麵上明顯存在三箇電子陷阱Eit1(0.194)、Eit2(0.262)，Eit3(0.407)和一箇空穴陷阱Hit1(0.471)，以及在C70/Si界麵附近存在著固體C70的電子和空穴陷阱引起的慢界麵態.結果還錶明C70膜的生長溫度對C70/Si的電學性質有重大影響，200℃生長的C70/Si界麵遠優于室溫生長的.
용심능급순태보화고빈전용-전압기술연구료고체C70/Si이질결적계면전자태.연구결과표명재C70/Si적계면상명현존재삼개전자함정Eit1(0.194)、Eit2(0.262)，Eit3(0.407)화일개공혈함정Hit1(0.471)，이급재C70/Si계면부근존재착고체C70적전자화공혈함정인기적만계면태.결과환표명C70막적생장온도대C70/Si적전학성질유중대영향，200℃생장적C70/Si계면원우우실온생장적.
