半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
1期
63-67
,共5页
屈新萍%徐蓓蕾%茹国平%李炳宗%W.Y.Cheung%S.P.Wong%Paul K.Chu
屈新萍%徐蓓蕾%茹國平%李炳宗%W.Y.Cheung%S.P.Wong%Paul K.Chu
굴신평%서배뢰%여국평%리병종%W.Y.Cheung%S.P.Wong%Paul K.Chu
固相反应%固相外延%金属硅化物
固相反應%固相外延%金屬硅化物
고상반응%고상외연%금속규화물
采用Co/C/Si多层薄膜结构的中间层诱导固相外延方法在Si(100)上制备外延CoSi2薄膜.用四探针电阻仪、XRD、AES、RBS等分析手段对该结构固相反应形成的薄膜的电学特性、组分、晶体结构等进行了表征.结果表明,Co/C/Si多层结构经快速热退火,可以在Si(100)衬底上得到导电性能和高温稳定性良好的CoSi2薄膜.C层的加入阻碍了Co和Si的互扩散和互反应,从而促进了CoSi2在硅衬底上的外延.
採用Co/C/Si多層薄膜結構的中間層誘導固相外延方法在Si(100)上製備外延CoSi2薄膜.用四探針電阻儀、XRD、AES、RBS等分析手段對該結構固相反應形成的薄膜的電學特性、組分、晶體結構等進行瞭錶徵.結果錶明,Co/C/Si多層結構經快速熱退火,可以在Si(100)襯底上得到導電性能和高溫穩定性良好的CoSi2薄膜.C層的加入阻礙瞭Co和Si的互擴散和互反應,從而促進瞭CoSi2在硅襯底上的外延.
채용Co/C/Si다층박막결구적중간층유도고상외연방법재Si(100)상제비외연CoSi2박막.용사탐침전조의、XRD、AES、RBS등분석수단대해결구고상반응형성적박막적전학특성、조분、정체결구등진행료표정.결과표명,Co/C/Si다층결구경쾌속열퇴화,가이재Si(100)츤저상득도도전성능화고온은정성량호적CoSi2박막.C층적가입조애료Co화Si적호확산화호반응,종이촉진료CoSi2재규츤저상적외연.
