MOSFET栅氧化过程界面分凝行为的二维工艺仿真
MOSFET책양화과정계면분응행위적이유공예방진
TWO-DIMINSIONAL SIMULATION OF THE MOSFET INTERFACE SEGREGATION IN GATE OXIDITION PROCESS
  • 万方数据
    山东大学学报(工学版) 산동대학학보(공학판)
    JOURNAL OF SHANDONG UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
    2002年 5期 476-479 ,共4页

    陈慧凯%邢建平

    진혜개%형건평

    计算机辅助设计%计算机模拟%集成电路 計算機輔助設計%計算機模擬%集成電路
    계산궤보조설계%계산궤모의%집성전로
    使用TSUPREM-4二维集成电路工艺仿真系统对P-MOS栅氧化过程中杂质分凝行为进行了计算机仿真.以数据方式和绘图方式定量地描述了杂质的分凝行为,提出了调节氧化步序和氧化模式来抑制杂质分凝效应的方法.
    사용TSUPREM-4이유집성전로공예방진계통대P-MOS책양화과정중잡질분응행위진행료계산궤방진.이수거방식화회도방식정량지묘술료잡질적분응행위,제출료조절양화보서화양화모식래억제잡질분응효응적방법.
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