半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2002年
5期
513-516
,共4页
钱永学%刘训春%王润梅%石瑞英
錢永學%劉訓春%王潤梅%石瑞英
전영학%류훈춘%왕윤매%석서영
异质结双极晶体管%镓铟磷/镓砷%T形发射极%侧向内切
異質結雙極晶體管%鎵銦燐/鎵砷%T形髮射極%側嚮內切
이질결쌍겁정체관%가인린/가신%T형발사겁%측향내절
利用发射极金属掩蔽进行内切腐蚀的方法研制成自对准InGaP/GaAs异质结双极晶体管 (HBT),其特征频率(ft)达到54GHz,最高振荡频率(fmax)达到71GHz,并且,这种方法工艺简单,成品率高.文中还对该结果进行了分析,提出了进一步提高频率特性的方法.
利用髮射極金屬掩蔽進行內切腐蝕的方法研製成自對準InGaP/GaAs異質結雙極晶體管 (HBT),其特徵頻率(ft)達到54GHz,最高振盪頻率(fmax)達到71GHz,併且,這種方法工藝簡單,成品率高.文中還對該結果進行瞭分析,提齣瞭進一步提高頻率特性的方法.
이용발사겁금속엄폐진행내절부식적방법연제성자대준InGaP/GaAs이질결쌍겁정체관 (HBT),기특정빈솔(ft)체도54GHz,최고진탕빈솔(fmax)체도71GHz,병차,저충방법공예간단,성품솔고.문중환대해결과진행료분석,제출료진일보제고빈솔특성적방법.
