电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2002年
1期
30-34
,共5页
钛酸锶陶瓷%GBBLD%一次烧成%粒界偏析
鈦痠鍶陶瓷%GBBLD%一次燒成%粒界偏析
태산송도자%GBBLD%일차소성%립계편석
基于自由能越低越稳定原理和芯-壳结构模型，论述了晶粒边界型陶瓷电容器（GBBLC）的形成。根据晶格结构紧密程度和结合能的大小，讨论了SrTiO3陶瓷半导化的途径。通过再氧化、施主离子的表面偏析、正缺位补偿和受主离子的表层结合等作用，而形成了介质壳层。文中还讨论了有关工艺进展及低温一次烧成GBBLC的可能性。
基于自由能越低越穩定原理和芯-殼結構模型，論述瞭晶粒邊界型陶瓷電容器（GBBLC）的形成。根據晶格結構緊密程度和結閤能的大小，討論瞭SrTiO3陶瓷半導化的途徑。通過再氧化、施主離子的錶麵偏析、正缺位補償和受主離子的錶層結閤等作用，而形成瞭介質殼層。文中還討論瞭有關工藝進展及低溫一次燒成GBBLC的可能性。
기우자유능월저월은정원리화심-각결구모형，논술료정립변계형도자전용기（GBBLC）적형성。근거정격결구긴밀정도화결합능적대소，토론료SrTiO3도자반도화적도경。통과재양화、시주리자적표면편석、정결위보상화수주리자적표층결합등작용，이형성료개질각층。문중환토론료유관공예진전급저온일차소성GBBLC적가능성。
