物理
物理
물리
2001年
8期
453-455
,共3页
高鸿钧%时东霞%张昊旭%林晓
高鴻鈞%時東霞%張昊旭%林曉
고홍균%시동하%장호욱%림효
超高密度信息存储%分子存储%有机功能材料%扫描探针显微术
超高密度信息存儲%分子存儲%有機功能材料%掃描探針顯微術
초고밀도신식존저%분자존저%유궤공능재료%소묘탐침현미술
在有机功能纳米薄膜上通过扫描隧道显微技术实现了超高密度的信息存储,存储点的大小在1.3nm左右,存储点间距为1.5nm,相应的存储密度为10bits/cm2.实验与理论计算的结果表明,其存储机理是薄膜的导电性质的变化.
在有機功能納米薄膜上通過掃描隧道顯微技術實現瞭超高密度的信息存儲,存儲點的大小在1.3nm左右,存儲點間距為1.5nm,相應的存儲密度為10bits/cm2.實驗與理論計算的結果錶明,其存儲機理是薄膜的導電性質的變化.
재유궤공능납미박막상통과소묘수도현미기술실현료초고밀도적신식존저,존저점적대소재1.3nm좌우,존저점간거위1.5nm,상응적존저밀도위10bits/cm2.실험여이론계산적결과표명,기존저궤리시박막적도전성질적변화.
