物理化学学报
物理化學學報
물이화학학보
ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA
2005年
2期
197-201
,共5页
胡仁%时海燕%林理文%庄燕燕%林昌健
鬍仁%時海燕%林理文%莊燕燕%林昌健
호인%시해연%림리문%장연연%림창건
羟基磷灰石涂层%电化学沉积%晶体生长%沉积时间
羥基燐灰石塗層%電化學沉積%晶體生長%沉積時間
간기린회석도층%전화학침적%정체생장%침적시간
采用恒电流电化学沉积方法从含钙与磷盐水溶液中直接在纯金属钛电极表面沉积纳米羟基磷灰石涂层,运用EDS、SEM、XRD、FTIR等方法对其进行表征.重点考察了一种典型制备条件下钙磷沉积层的形貌、结构及组分随沉积时间的变化,进而探讨相应条件下电化学沉积羟基磷灰石涂层晶体生长过程的基本规律.研究表明电化学沉积法可用于在医用金属表面直接涂覆含钙离子缺陷的纳米羟基磷灰石涂层,典型条件下涂层的生长规律为:(1)沉积过程中羟基磷灰石晶粒以c轴方向沿沉积面法线方向择优生长,且这一趋势延续整个沉积过程;(2)内层晶粒的生长受到外层晶粒生长的抑制,对于同层的晶粒,当晶粒分布密集时,晶粒生长可能发生相互制约;(3)随沉积时间的延长,沉积量增加,而膜层的化学组成基本不发生变化.
採用恆電流電化學沉積方法從含鈣與燐鹽水溶液中直接在純金屬鈦電極錶麵沉積納米羥基燐灰石塗層,運用EDS、SEM、XRD、FTIR等方法對其進行錶徵.重點攷察瞭一種典型製備條件下鈣燐沉積層的形貌、結構及組分隨沉積時間的變化,進而探討相應條件下電化學沉積羥基燐灰石塗層晶體生長過程的基本規律.研究錶明電化學沉積法可用于在醫用金屬錶麵直接塗覆含鈣離子缺陷的納米羥基燐灰石塗層,典型條件下塗層的生長規律為:(1)沉積過程中羥基燐灰石晶粒以c軸方嚮沿沉積麵法線方嚮擇優生長,且這一趨勢延續整箇沉積過程;(2)內層晶粒的生長受到外層晶粒生長的抑製,對于同層的晶粒,噹晶粒分佈密集時,晶粒生長可能髮生相互製約;(3)隨沉積時間的延長,沉積量增加,而膜層的化學組成基本不髮生變化.
채용항전류전화학침적방법종함개여린염수용액중직접재순금속태전겁표면침적납미간기린회석도층,운용EDS、SEM、XRD、FTIR등방법대기진행표정.중점고찰료일충전형제비조건하개린침적층적형모、결구급조분수침적시간적변화,진이탐토상응조건하전화학침적간기린회석도층정체생장과정적기본규률.연구표명전화학침적법가용우재의용금속표면직접도복함개리자결함적납미간기린회석도층,전형조건하도층적생장규률위:(1)침적과정중간기린회석정립이c축방향연침적면법선방향택우생장,차저일추세연속정개침적과정;(2)내층정립적생장수도외층정립생장적억제,대우동층적정립,당정립분포밀집시,정립생장가능발생상호제약;(3)수침적시간적연장,침적량증가,이막층적화학조성기본불발생변화.