电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2005年
5期
8-10
,共3页
张亚民%陈吉安%周勇%丁文%王明军%高孝裕
張亞民%陳吉安%週勇%丁文%王明軍%高孝裕
장아민%진길안%주용%정문%왕명군%고효유
电子技术%巨磁阻抗效应%FeCuNbCrSiB%三明治薄膜
電子技術%巨磁阻抗效應%FeCuNbCrSiB%三明治薄膜
전자기술%거자조항효응%FeCuNbCrSiB%삼명치박막
采用磁控溅射方法,在玻璃基片上制备了非晶的Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9薄膜及三明治结构M/C/M(M为Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9;C为Cu)的多层膜.在频率(1～40)MHz下,研究了薄膜材料的巨磁阻抗(GMI)效应随外加磁场的变化关系.结果表明:单层膜的GMI效应较小,只有4.4%;而三明治结构多层膜的GMI效应,比单层膜有较大幅度的提高,在5MHz、120Oe下,纵向和横向GMI效应分别达-17.4%和-20.7%.薄膜材料的纵向GMI效应随外加磁场变化呈现先增后减,而横向GMI效应随外加磁场的增加而单调递减,其变化规律与薄膜的易轴取向有很大关系.
採用磁控濺射方法,在玻璃基片上製備瞭非晶的Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9薄膜及三明治結構M/C/M(M為Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9;C為Cu)的多層膜.在頻率(1～40)MHz下,研究瞭薄膜材料的巨磁阻抗(GMI)效應隨外加磁場的變化關繫.結果錶明:單層膜的GMI效應較小,隻有4.4%;而三明治結構多層膜的GMI效應,比單層膜有較大幅度的提高,在5MHz、120Oe下,縱嚮和橫嚮GMI效應分彆達-17.4%和-20.7%.薄膜材料的縱嚮GMI效應隨外加磁場變化呈現先增後減,而橫嚮GMI效應隨外加磁場的增加而單調遞減,其變化規律與薄膜的易軸取嚮有很大關繫.
채용자공천사방법,재파리기편상제비료비정적Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9박막급삼명치결구M/C/M(M위Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9;C위Cu)적다층막.재빈솔(1～40)MHz하,연구료박막재료적거자조항(GMI)효응수외가자장적변화관계.결과표명:단층막적GMI효응교소,지유4.4%;이삼명치결구다층막적GMI효응,비단층막유교대폭도적제고,재5MHz、120Oe하,종향화횡향GMI효응분별체-17.4%화-20.7%.박막재료적종향GMI효응수외가자장변화정현선증후감,이횡향GMI효응수외가자장적증가이단조체감,기변화규률여박막적역축취향유흔대관계.
