电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2006年
6期
13-15
,共3页
无机非金属材料%BST薄膜%掺杂%退火%介电性能%sol-gel
無機非金屬材料%BST薄膜%摻雜%退火%介電性能%sol-gel
무궤비금속재료%BST박막%참잡%퇴화%개전성능%sol-gel
用sol-gel法在Pt/SiO2/Si基片上制备了未掺杂和掺杂Zn的钛酸锶钡(BST)薄膜.用XRD对BST薄膜进行了物相分析,研究了Zn掺杂对薄膜的表面形貌和介电调谐性能的影响.结果表明:室温下,随着Zn加入量的增加,BST薄膜的介电常数减小,介质损耗降低,介电调谐量增加.x(Zn)为0.025的BST薄膜具有最大的优越因子(FOM),其值为29.28.
用sol-gel法在Pt/SiO2/Si基片上製備瞭未摻雜和摻雜Zn的鈦痠鍶鋇(BST)薄膜.用XRD對BST薄膜進行瞭物相分析,研究瞭Zn摻雜對薄膜的錶麵形貌和介電調諧性能的影響.結果錶明:室溫下,隨著Zn加入量的增加,BST薄膜的介電常數減小,介質損耗降低,介電調諧量增加.x(Zn)為0.025的BST薄膜具有最大的優越因子(FOM),其值為29.28.
용sol-gel법재Pt/SiO2/Si기편상제비료미참잡화참잡Zn적태산송패(BST)박막.용XRD대BST박막진행료물상분석,연구료Zn참잡대박막적표면형모화개전조해성능적영향.결과표명:실온하,수착Zn가입량적증가,BST박막적개전상수감소,개질손모강저,개전조해량증가.x(Zn)위0.025적BST박막구유최대적우월인자(FOM),기치위29.28.
