纳米电子器件及其集成
납미전자기건급기집성
Nano Electrical Devices and Integration
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2006年 z1期 7-10 ,共4页

    刘明%陈宝钦%谢常青%王丛舜%龙世兵%徐秋霞%李志钢%易里成荣%涂德钰%商立伟

    류명%진보흠%사상청%왕총순%룡세병%서추하%리지강%역리성영%도덕옥%상립위

    自上而下的纳米加工%纳米器件%单电子器件%共振器件 自上而下的納米加工%納米器件%單電子器件%共振器件
    자상이하적납미가공%납미기건%단전자기건%공진기건
    对基于Top-Down加工技术的纳米电子器件如:单电子器件、共振器件、分子电子器件等的研究现状、面临的主要挑战等进行了讨论.采用CMOS兼容的工艺成功地研制出单电子器件,观察到明显的库仑阻塞效应;在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0.1 Ga0.9As/GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管,采用环型集电极和薄势垒结构研制的共振隧穿器件,在室温下测得其峰谷电流比高达13.98,峰电流密度大于89kA/cm2;概述了交叉阵列的分子存储器的研究进展.
    대기우Top-Down가공기술적납미전자기건여:단전자기건、공진기건、분자전자기건등적연구현상、면림적주요도전등진행료토론.채용CMOS겸용적공예성공지연제출단전자기건,관찰도명현적고륜조새효응;재반절연GaAs츤저상제작료AlAs/GaAs/In0.1 Ga0.9As/GaAs/AlAs쌍세루공진수천이겁관,채용배형집전겁화박세루결구연제적공진수천기건,재실온하측득기봉곡전류비고체13.98,봉전류밀도대우89kA/cm2;개술료교차진렬적분자존저기적연구진전.
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