电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2007年
5期
46-48,52
,共4页
邱美艳%孙以材%潘国锋%杜鹏%李辉
邱美豔%孫以材%潘國鋒%杜鵬%李輝
구미염%손이재%반국봉%두붕%리휘
半导体技术%ZnO薄膜%传感器%丙酮%选择性
半導體技術%ZnO薄膜%傳感器%丙酮%選擇性
반도체기술%ZnO박막%전감기%병동%선택성
用直流磁控反应溅射法,分别在Si(111)基片及Al2O3陶瓷基片上制备了ZnO薄膜,并进行TiO2、SnO2、Al2O3或CuO的掺杂和退火处理.用XRD分析了退火前后晶型的变化,利用气敏测试系统对各样品进行了气敏特性测试.结果表明:经过700 ℃退火后的样品,在最佳工作温度为220 ℃时,对丙酮有很好的选择性和很高的灵敏度(34.794).掺杂TiO2或SnO2,可提高ZnO薄膜传感器对丙酮的灵敏度(57.963).
用直流磁控反應濺射法,分彆在Si(111)基片及Al2O3陶瓷基片上製備瞭ZnO薄膜,併進行TiO2、SnO2、Al2O3或CuO的摻雜和退火處理.用XRD分析瞭退火前後晶型的變化,利用氣敏測試繫統對各樣品進行瞭氣敏特性測試.結果錶明:經過700 ℃退火後的樣品,在最佳工作溫度為220 ℃時,對丙酮有很好的選擇性和很高的靈敏度(34.794).摻雜TiO2或SnO2,可提高ZnO薄膜傳感器對丙酮的靈敏度(57.963).
용직류자공반응천사법,분별재Si(111)기편급Al2O3도자기편상제비료ZnO박막,병진행TiO2、SnO2、Al2O3혹CuO적참잡화퇴화처리.용XRD분석료퇴화전후정형적변화,이용기민측시계통대각양품진행료기민특성측시.결과표명:경과700 ℃퇴화후적양품,재최가공작온도위220 ℃시,대병동유흔호적선택성화흔고적령민도(34.794).참잡TiO2혹SnO2,가제고ZnO박막전감기대병동적령민도(57.963).
