电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2009年
4期
7-10
,共4页
李真%吴昌英%韦高%高峰
李真%吳昌英%韋高%高峰
리진%오창영%위고%고봉
无机非金属材料%钛酸锶钡%MgO%可调性%预合成%介电性能
無機非金屬材料%鈦痠鍶鋇%MgO%可調性%預閤成%介電性能
무궤비금속재료%태산송패%MgO%가조성%예합성%개전성능
通过在不同工序添加MgO,研究添加方式对Ba0.6Sr0.4TiO3(BSTO)陶瓷微观结构与介电性能的影响.结果表明:在预合成BSTO后加入MgO,样品中有明显的Ba3(VO4)2针状晶粒生成,且随MgO添加量的增多而减少;在预合成BSTO前加入MgO的样品中,该新相极少.MgO添加量相同时,在预合成BSTO前加入,样品的介电常数较低;在预合成BSTO后加入,样品的高频损耗较小,可调性较高,当添加质量分数为15%~25%的MgO,样品在103 V/mm电场强度下的可调性均高于20%.
通過在不同工序添加MgO,研究添加方式對Ba0.6Sr0.4TiO3(BSTO)陶瓷微觀結構與介電性能的影響.結果錶明:在預閤成BSTO後加入MgO,樣品中有明顯的Ba3(VO4)2針狀晶粒生成,且隨MgO添加量的增多而減少;在預閤成BSTO前加入MgO的樣品中,該新相極少.MgO添加量相同時,在預閤成BSTO前加入,樣品的介電常數較低;在預閤成BSTO後加入,樣品的高頻損耗較小,可調性較高,噹添加質量分數為15%~25%的MgO,樣品在103 V/mm電場彊度下的可調性均高于20%.
통과재불동공서첨가MgO,연구첨가방식대Ba0.6Sr0.4TiO3(BSTO)도자미관결구여개전성능적영향.결과표명:재예합성BSTO후가입MgO,양품중유명현적Ba3(VO4)2침상정립생성,차수MgO첨가량적증다이감소;재예합성BSTO전가입MgO적양품중,해신상겁소.MgO첨가량상동시,재예합성BSTO전가입,양품적개전상수교저;재예합성BSTO후가입,양품적고빈손모교소,가조성교고,당첨가질량분수위15%~25%적MgO,양품재103 V/mm전장강도하적가조성균고우20%.
