电子科技大学学报
電子科技大學學報
전자과기대학학보
JOURNAL OF UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
2009年
5期
730-733
,共4页
李伟%陈宇翔%金鑫%姜宇鹏%杨光%蒋亚东
李偉%陳宇翔%金鑫%薑宇鵬%楊光%蔣亞東
리위%진우상%금흠%강우붕%양광%장아동
傅里叶变换红外光谱%气体压强%氢化非晶硅%光学性能%拉曼光谱
傅裏葉變換紅外光譜%氣體壓彊%氫化非晶硅%光學性能%拉曼光譜
부리협변환홍외광보%기체압강%경화비정규%광학성능%랍만광보
用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)制备磷掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,研究了辉光放电气体压强(20～80 Pa)对薄膜折射率、消光系数、光学带隙以及氢含量的影响;用激光拉曼光谱研究了气体压强对a-Si:H薄膜微结构的影响,并与薄膜的光学性能进行了综合讨论.结果表明,随着辉光放电气体压强的增加,a-Si:H薄膜的光学带隙和氢含量都有不同程度的增大,但折射率和消光系数却逐步减小;与此同时,薄膜内非晶网络的短程和中程有序程度逐渐恶化.
用射頻等離子增彊化學氣相沉積(RF-PECVD)製備燐摻雜氫化非晶硅(a-Si:H)薄膜,研究瞭輝光放電氣體壓彊(20～80 Pa)對薄膜摺射率、消光繫數、光學帶隙以及氫含量的影響;用激光拉曼光譜研究瞭氣體壓彊對a-Si:H薄膜微結構的影響,併與薄膜的光學性能進行瞭綜閤討論.結果錶明,隨著輝光放電氣體壓彊的增加,a-Si:H薄膜的光學帶隙和氫含量都有不同程度的增大,但摺射率和消光繫數卻逐步減小;與此同時,薄膜內非晶網絡的短程和中程有序程度逐漸噁化.
용사빈등리자증강화학기상침적(RF-PECVD)제비린참잡경화비정규(a-Si:H)박막,연구료휘광방전기체압강(20～80 Pa)대박막절사솔、소광계수、광학대극이급경함량적영향;용격광랍만광보연구료기체압강대a-Si:H박막미결구적영향,병여박막적광학성능진행료종합토론.결과표명,수착휘광방전기체압강적증가,a-Si:H박막적광학대극화경함량도유불동정도적증대,단절사솔화소광계수각축보감소;여차동시,박막내비정망락적단정화중정유서정도축점악화.
