原子能科学技术
原子能科學技術
원자능과학기술
ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY
2009年
9期
788-792
,共5页
刘强%程新路%吴卫东%杨则金%李进
劉彊%程新路%吳衛東%楊則金%李進
류강%정신로%오위동%양칙금%리진
密度泛函理论%ZnO%电子结构%晶格畸变
密度汎函理論%ZnO%電子結構%晶格畸變
밀도범함이론%ZnO%전자결구%정격기변
本文基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,计算了Zn原子位置对ZnO电子结构的影响.Zn的位置变化导致ZnO晶体发生晶格畸变,使电子结构发生变化;能带结构、能态密度(DOS)、电子密度、Mulliken布居等计算结果分析表明:Zn原子位置在z轴方向改变后使得Zn-O键长缩短,Zn的3d电子与O原子的2p电子在-8.0～-0.5 eV区域的杂化作用加强,导致O原子的部分2p电子向低能方向移动,带隙展宽.
本文基于密度汎函理論(DFT)的第一性原理方法,計算瞭Zn原子位置對ZnO電子結構的影響.Zn的位置變化導緻ZnO晶體髮生晶格畸變,使電子結構髮生變化;能帶結構、能態密度(DOS)、電子密度、Mulliken佈居等計算結果分析錶明:Zn原子位置在z軸方嚮改變後使得Zn-O鍵長縮短,Zn的3d電子與O原子的2p電子在-8.0～-0.5 eV區域的雜化作用加彊,導緻O原子的部分2p電子嚮低能方嚮移動,帶隙展寬.
본문기우밀도범함이론(DFT)적제일성원리방법,계산료Zn원자위치대ZnO전자결구적영향.Zn적위치변화도치ZnO정체발생정격기변,사전자결구발생변화;능대결구、능태밀도(DOS)、전자밀도、Mulliken포거등계산결과분석표명:Zn원자위치재z축방향개변후사득Zn-O건장축단,Zn적3d전자여O원자적2p전자재-8.0～-0.5 eV구역적잡화작용가강,도치O원자적부분2p전자향저능방향이동,대극전관.
