原子能科学技术
原子能科學技術
원자능과학기술
ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY
2011年
1期
84-89
,共6页
罗尹虹%郭红霞%张凤祁%姚志斌%张科营%王圆明
囉尹虹%郭紅霞%張鳳祁%姚誌斌%張科營%王圓明
라윤홍%곽홍하%장봉기%요지빈%장과영%왕원명
54HC CMOS%脉冲总剂量损伤%效应损伤因子
54HC CMOS%脈遲總劑量損傷%效應損傷因子
54HC CMOS%맥충총제량손상%효응손상인자
针对现有脉冲辐射模拟装置在模拟真实环境方面累积剂量偏小的特点,开展了54HC系列CMOs器件脉冲Y与60 Co γ总剂量效应损伤异同性研究,获取器件效应损伤因子,以期通过对稳态辐射环境下电路总剂量损伤阈值的测量预估脉冲高剂量率环境下的总剂量损伤阈值.研究结果表明,无论选择哪种敏感参数进行效应损伤异同性研究,稳态辐照造成的总剂量损伤总是高于脉冲辐照,即稳态总剂量引起的器件阈值电压漂移、静态功耗电流增加比脉冲总剂量引起的大.
針對現有脈遲輻射模擬裝置在模擬真實環境方麵纍積劑量偏小的特點,開展瞭54HC繫列CMOs器件脈遲Y與60 Co γ總劑量效應損傷異同性研究,穫取器件效應損傷因子,以期通過對穩態輻射環境下電路總劑量損傷閾值的測量預估脈遲高劑量率環境下的總劑量損傷閾值.研究結果錶明,無論選擇哪種敏感參數進行效應損傷異同性研究,穩態輻照造成的總劑量損傷總是高于脈遲輻照,即穩態總劑量引起的器件閾值電壓漂移、靜態功耗電流增加比脈遲總劑量引起的大.
침대현유맥충복사모의장치재모의진실배경방면루적제량편소적특점,개전료54HC계렬CMOs기건맥충Y여60 Co γ총제량효응손상이동성연구,획취기건효응손상인자,이기통과대은태복사배경하전로총제량손상역치적측량예고맥충고제량솔배경하적총제량손상역치.연구결과표명,무론선택나충민감삼수진행효응손상이동성연구,은태복조조성적총제량손상총시고우맥충복조,즉은태총제량인기적기건역치전압표이、정태공모전류증가비맥충총제량인기적대.
