人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2011年
5期
1150-1156
,共7页
曾庆凯%关小军%潘忠奔%张怀金%王丽君%禹宝军%刘千千
曾慶凱%關小軍%潘忠奔%張懷金%王麗君%禹寶軍%劉韆韆
증경개%관소군%반충분%장부금%왕려군%우보군%류천천
CZ硅%数值模拟%空洞%氧沉淀%初始氧浓度
CZ硅%數值模擬%空洞%氧沉澱%初始氧濃度
CZ규%수치모의%공동%양침정%초시양농도
针对大直径直拉硅的微缺陷控制问题,模拟研究了初始氧浓度对于直径400 mm直拉硅单晶生长过程中原生点缺陷、空洞和氧沉淀演变规律.结果表明:晶体生长过程中氧沉淀和空洞的浓度及尺寸受晶体所经历的热历史和初始氧浓度的共同影响.当温度降低时,氧沉淀和空洞浓度降低,空洞尺寸增大,氧沉淀尺寸随初始氧浓度不同变化规律相异.在较低初始氧浓度时,随温度降低氧沉淀尺寸减小,在较高氧浓度时,氧沉淀尺寸增加.在相同热条件下,高温时,随初始氧浓度增加,空洞浓度先降低后升高,随后又继续降低；低温时,空洞浓度先不变后降低.
針對大直徑直拉硅的微缺陷控製問題,模擬研究瞭初始氧濃度對于直徑400 mm直拉硅單晶生長過程中原生點缺陷、空洞和氧沉澱縯變規律.結果錶明:晶體生長過程中氧沉澱和空洞的濃度及呎吋受晶體所經歷的熱歷史和初始氧濃度的共同影響.噹溫度降低時,氧沉澱和空洞濃度降低,空洞呎吋增大,氧沉澱呎吋隨初始氧濃度不同變化規律相異.在較低初始氧濃度時,隨溫度降低氧沉澱呎吋減小,在較高氧濃度時,氧沉澱呎吋增加.在相同熱條件下,高溫時,隨初始氧濃度增加,空洞濃度先降低後升高,隨後又繼續降低；低溫時,空洞濃度先不變後降低.
침대대직경직랍규적미결함공제문제,모의연구료초시양농도대우직경400 mm직랍규단정생장과정중원생점결함、공동화양침정연변규률.결과표명:정체생장과정중양침정화공동적농도급척촌수정체소경력적열역사화초시양농도적공동영향.당온도강저시,양침정화공동농도강저,공동척촌증대,양침정척촌수초시양농도불동변화규률상이.재교저초시양농도시,수온도강저양침정척촌감소,재교고양농도시,양침정척촌증가.재상동열조건하,고온시,수초시양농도증가,공동농도선강저후승고,수후우계속강저；저온시,공동농도선불변후강저.
