强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
2002年
2期
302-306
,共5页
杨志安%靳涛%杨祖慎%姚育娟%罗尹虹%戴慧莹
楊誌安%靳濤%楊祖慎%姚育娟%囉尹虹%戴慧瑩
양지안%근도%양조신%요육연%라윤홍%대혜형
X射线%Si-SiO2界面%辐射损伤
X射線%Si-SiO2界麵%輻射損傷
X사선%Si-SiO2계면%복사손상
利用强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行了辐照,测量了C-V曲线和I-V曲线.实验发现,经过强脉冲X射线对 Si-SiO2界面进行的辐照,使C-V曲线产生了正向漂移,这一点与低剂量率辐射结果不同;辐射后,感生I-V曲线产生畸变;特别地,从I-V曲线上还反映出强脉冲X射线辐照的总剂量效应造成电特性参数明显退化,最后甚至失效.讨论了强脉冲X射线辐照对Si-SiO2界面产生损伤的机理,并对实验结果进行了解释.
利用彊脈遲X射線對Si-SiO2界麵進行瞭輻照,測量瞭C-V麯線和I-V麯線.實驗髮現,經過彊脈遲X射線對 Si-SiO2界麵進行的輻照,使C-V麯線產生瞭正嚮漂移,這一點與低劑量率輻射結果不同;輻射後,感生I-V麯線產生畸變;特彆地,從I-V麯線上還反映齣彊脈遲X射線輻照的總劑量效應造成電特性參數明顯退化,最後甚至失效.討論瞭彊脈遲X射線輻照對Si-SiO2界麵產生損傷的機理,併對實驗結果進行瞭解釋.
이용강맥충X사선대Si-SiO2계면진행료복조,측량료C-V곡선화I-V곡선.실험발현,경과강맥충X사선대 Si-SiO2계면진행적복조,사C-V곡선산생료정향표이,저일점여저제량솔복사결과불동;복사후,감생I-V곡선산생기변;특별지,종I-V곡선상환반영출강맥충X사선복조적총제량효응조성전특성삼수명현퇴화,최후심지실효.토론료강맥충X사선복조대Si-SiO2계면산생손상적궤리,병대실험결과진행료해석.
