真空与低温
真空與低溫
진공여저온
VACUUM AND CRYOGENICS
2001年
1期
58-62
,共5页
变角X射光电子能谱%GaAs光电阴极%层结构%热退火
變角X射光電子能譜%GaAs光電陰極%層結構%熱退火
변각X사광전자능보%GaAs광전음겁%층결구%열퇴화
用变角X射线光电子能谱(XPS)技术分析了GaAs光阴极的表面及其在热退火后的效应,首次定量地计算了(Cs,O)/GaAs系统的表面(Cs,O)层和界面(Ga,As)弛豫层的厚度和组分.(Cs,O)/GaAs系统在625～650℃的热退火后,(Ga,As)驰豫层厚度减薄,Ga,As的原子浓度增大;且消除了O与As的化学连接.
用變角X射線光電子能譜(XPS)技術分析瞭GaAs光陰極的錶麵及其在熱退火後的效應,首次定量地計算瞭(Cs,O)/GaAs繫統的錶麵(Cs,O)層和界麵(Ga,As)弛豫層的厚度和組分.(Cs,O)/GaAs繫統在625～650℃的熱退火後,(Ga,As)馳豫層厚度減薄,Ga,As的原子濃度增大;且消除瞭O與As的化學連接.
용변각X사선광전자능보(XPS)기술분석료GaAs광음겁적표면급기재열퇴화후적효응,수차정량지계산료(Cs,O)/GaAs계통적표면(Cs,O)층화계면(Ga,As)이예층적후도화조분.(Cs,O)/GaAs계통재625～650℃적열퇴화후,(Ga,As)치예층후도감박,Ga,As적원자농도증대;차소제료O여As적화학련접.
