宽带偏振不灵敏InGaAs半导体光放大器
관대편진불령민InGaAs반도체광방대기
Broad-Width Polarization-Insensitive InGaAs Semiconductor Optical Amplifier
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2005年 3期 567-570 ,共4页

    王书荣%王圩%刘志宏%朱洪亮%张瑞英%丁颖%赵玲娟%周帆%田慧良

    왕서영%왕우%류지굉%주홍량%장서영%정영%조령연%주범%전혜량

    压应变InGaAs量子阱%张应变InGaAs准体材料%半导体光放大器%偏振灵敏度%增益%饱和输出功率 壓應變InGaAs量子阱%張應變InGaAs準體材料%半導體光放大器%偏振靈敏度%增益%飽和輸齣功率
    압응변InGaAs양자정%장응변InGaAs준체재료%반도체광방대기%편진령민도%증익%포화수출공솔
    采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构,研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器.此放大器在100～250mA的工作电流范围内,获得了大于70nm的3dB光带宽;在0～250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内,偏振灵敏度小于1dB.对于1.55μm的信号光,在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率.
    채용압응변InGaAs양자정화장응변InGaAs준체재료교체혼합적유원결구,연제료관대편진불령민적반도체광방대기.차방대기재100～250mA적공작전류범위내,획득료대우70nm적3dB광대관;재0～250mA공작전류화3dB광대관파장범위내,편진령민도소우1dB.대우1.55μm적신호광,재200mA적주입전류하획득료15.6dB적광섬도광섬적증익、소우0.7dB적편진령민도화4.2dBm적포화수출공솔.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문