关于RHEED振荡技术优化GaAs(110)量子阱生长的研究
관우RHEED진탕기술우화GaAs(110)양자정생장적연구
Optimization of GaAs(110)quantum well material growth technology by reflection high energy electron diffraction
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2007年 6期 3355-3359 ,共5页

    刘林生%刘肃%王文新%赵宏鸣%刘宝利%蒋中伟%高汉超%王佳%黄庆安%陈弘%周均铭

    류림생%류숙%왕문신%조굉명%류보리%장중위%고한초%왕가%황경안%진홍%주균명

    反射高能电子衍射%量子阱%分子束外延 反射高能電子衍射%量子阱%分子束外延
    반사고능전자연사%양자정%분자속외연
    在GaAs(110)衬底上生长的半导体材料有诸多优良性能,使得在非极性GaAs(110)衬底上获得高质量各类异质结材料,成为近年来分子束外延生长关注的课题.考虑GaAs(110)表面是Ga和As共面,最佳生长温度窗口很小;反射式高能电子衍射的(1×1)再构图案对生长温度和Ⅴ/Ⅲ束流比不敏感,难于通过观察再构图案的变化,准确地找到最佳生长条件.作者在制备GaAs(110)量子阱过程中,观察到反射式高能电子衍射强度振荡呈现出的单双周期变化.这意味着不同工艺条件下,在GaAs(110)衬底上量子阱有单层和双层两种生长模式.透射电子显微镜和室温光致荧光光谱测量结果表明:在双层生长模式下量子阱样品光学性能较差,而在单层生长模式下量子阱光学性能较好,但是界面会变粗糙.利用这一特点,我们采用反射式高能电子衍射强度振荡技术,找到了一种在GaAs(110)衬底上生长高质量量子阱的可行方法.
    재GaAs(110)츤저상생장적반도체재료유제다우량성능,사득재비겁성GaAs(110)츤저상획득고질량각류이질결재료,성위근년래분자속외연생장관주적과제.고필GaAs(110)표면시Ga화As공면,최가생장온도창구흔소;반사식고능전자연사적(1×1)재구도안대생장온도화Ⅴ/Ⅲ속류비불민감,난우통과관찰재구도안적변화,준학지조도최가생장조건.작자재제비GaAs(110)양자정과정중,관찰도반사식고능전자연사강도진탕정현출적단쌍주기변화.저의미착불동공예조건하,재GaAs(110)츤저상양자정유단층화쌍층량충생장모식.투사전자현미경화실온광치형광광보측량결과표명:재쌍층생장모식하양자정양품광학성능교차,이재단층생장모식하양자정광학성능교호,단시계면회변조조.이용저일특점,아문채용반사식고능전자연사강도진탕기술,조도료일충재GaAs(110)츤저상생장고질량양자정적가행방법.
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