电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2007年
7期
21-23
,共3页
无机非金属材料%ITO膜%氧氩流量比%电阻率%透光率
無機非金屬材料%ITO膜%氧氬流量比%電阻率%透光率
무궤비금속재료%ITO막%양아류량비%전조솔%투광솔
在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ITO透明半导体膜,采用X射线衍射技术分析了膜层晶体结构与薄膜厚度和氧含量的关系,并测量了薄膜电阻率及透光率分别随膜厚和氧含量的变化情况.以低氧氩流量比(1/40)并控制膜厚在70 nm以上进行镀膜,获得了结晶性好、电阻率低且透光率高的ITO透明半导体薄膜,所镀制的ITO膜电阻率降到1.8×10-4 Ω·cm,可见光透光率达80 %以上.
在玻璃襯底上用直流磁控濺射的方法鍍製ITO透明半導體膜,採用X射線衍射技術分析瞭膜層晶體結構與薄膜厚度和氧含量的關繫,併測量瞭薄膜電阻率及透光率分彆隨膜厚和氧含量的變化情況.以低氧氬流量比(1/40)併控製膜厚在70 nm以上進行鍍膜,穫得瞭結晶性好、電阻率低且透光率高的ITO透明半導體薄膜,所鍍製的ITO膜電阻率降到1.8×10-4 Ω·cm,可見光透光率達80 %以上.
재파리츤저상용직류자공천사적방법도제ITO투명반도체막,채용X사선연사기술분석료막층정체결구여박막후도화양함량적관계,병측량료박막전조솔급투광솔분별수막후화양함량적변화정황.이저양아류량비(1/40)병공제막후재70 nm이상진행도막,획득료결정성호、전조솔저차투광솔고적ITO투명반도체박막,소도제적ITO막전조솔강도1.8×10-4 Ω·cm,가견광투광솔체80 %이상.
