强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
2007年
11期
1771-1774
,共4页
碰撞电离%光致电离%激光损伤%阈值
踫撞電離%光緻電離%激光損傷%閾值
팽당전리%광치전리%격광손상%역치
从电子密度速率方程出发,建立短脉冲激光辐照下SiO2材料中导带电子增长简化模型,计算了SiO2中光致电离速率和电子雪崩速率,得到SiO2激光损伤阈值与脉冲宽度的关系,计算分析了光致电离和碰撞电离两种电离机制在导带电子累积过程中的不同作用.结果表明:脉冲较长,碰撞电离几乎能提供全部的导带电子,激光损伤阈值与脉宽的0.5次方成正比;脉冲较短时,导带电子主要由碰撞电离产生,光致电离提供碰撞电离的初始电子,激光损伤阈值随着脉宽的减小,先增加后减小.
從電子密度速率方程齣髮,建立短脈遲激光輻照下SiO2材料中導帶電子增長簡化模型,計算瞭SiO2中光緻電離速率和電子雪崩速率,得到SiO2激光損傷閾值與脈遲寬度的關繫,計算分析瞭光緻電離和踫撞電離兩種電離機製在導帶電子纍積過程中的不同作用.結果錶明:脈遲較長,踫撞電離幾乎能提供全部的導帶電子,激光損傷閾值與脈寬的0.5次方成正比;脈遲較短時,導帶電子主要由踫撞電離產生,光緻電離提供踫撞電離的初始電子,激光損傷閾值隨著脈寬的減小,先增加後減小.
종전자밀도속솔방정출발,건립단맥충격광복조하SiO2재료중도대전자증장간화모형,계산료SiO2중광치전리속솔화전자설붕속솔,득도SiO2격광손상역치여맥충관도적관계,계산분석료광치전리화팽당전리량충전리궤제재도대전자루적과정중적불동작용.결과표명:맥충교장,팽당전리궤호능제공전부적도대전자,격광손상역치여맥관적0.5차방성정비;맥충교단시,도대전자주요유팽당전리산생,광치전리제공팽당전리적초시전자,격광손상역치수착맥관적감소,선증가후감소.
