发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2008年
2期
304-308
,共5页
孙利杰%钟声%张伟英%王筝%林碧霞%傅竹西
孫利傑%鐘聲%張偉英%王箏%林碧霞%傅竹西
손리걸%종성%장위영%왕쟁%림벽하%부죽서
Ag掺杂氧化锌%低温PL谱%施主-受主对%同质结
Ag摻雜氧化鋅%低溫PL譜%施主-受主對%同質結
Ag참잡양화자%저온PL보%시주-수주대%동질결
采用磁控溅射技术在Si基片上生长了Ag掺杂的ZnO薄膜,XRD测试表明所得薄膜结晶性质良好,未出现Ag的分相.未掺杂和Ag掺杂氧化锌薄膜的低温(10 K)光致发光(PL)谱显示:Ag的掺入使得中性施主束缚激子发射(D0X)显著减弱,并且在3.315 eV处观测到了与Ag有关的施主-受主对(DAP)发射,受主缺陷的形成归因于掺入的Ag替位Zn.计算得到受主能级离价带顶约110 meV.霍尔效应测得电阻率约0.1 Ω·cm,迁移率约36 cm2/V·s,空穴浓度约1.7×1018 cm-3.在此基础上制备了ZnO:Ag/ZnO的同质结,I-V测试显示了明显的整流特性,且反向漏电流很小.所有结果表明Ag掺杂的氧化锌薄膜已经转化为p型.
採用磁控濺射技術在Si基片上生長瞭Ag摻雜的ZnO薄膜,XRD測試錶明所得薄膜結晶性質良好,未齣現Ag的分相.未摻雜和Ag摻雜氧化鋅薄膜的低溫(10 K)光緻髮光(PL)譜顯示:Ag的摻入使得中性施主束縳激子髮射(D0X)顯著減弱,併且在3.315 eV處觀測到瞭與Ag有關的施主-受主對(DAP)髮射,受主缺陷的形成歸因于摻入的Ag替位Zn.計算得到受主能級離價帶頂約110 meV.霍爾效應測得電阻率約0.1 Ω·cm,遷移率約36 cm2/V·s,空穴濃度約1.7×1018 cm-3.在此基礎上製備瞭ZnO:Ag/ZnO的同質結,I-V測試顯示瞭明顯的整流特性,且反嚮漏電流很小.所有結果錶明Ag摻雜的氧化鋅薄膜已經轉化為p型.
채용자공천사기술재Si기편상생장료Ag참잡적ZnO박막,XRD측시표명소득박막결정성질량호,미출현Ag적분상.미참잡화Ag참잡양화자박막적저온(10 K)광치발광(PL)보현시:Ag적참입사득중성시주속박격자발사(D0X)현저감약,병차재3.315 eV처관측도료여Ag유관적시주-수주대(DAP)발사,수주결함적형성귀인우참입적Ag체위Zn.계산득도수주능급리개대정약110 meV.곽이효응측득전조솔약0.1 Ω·cm,천이솔약36 cm2/V·s,공혈농도약1.7×1018 cm-3.재차기출상제비료ZnO:Ag/ZnO적동질결,I-V측시현시료명현적정류특성,차반향루전류흔소.소유결과표명Ag참잡적양화자박막이경전화위p형.
