半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
5期
414-417
,共4页
氧化铟锡侧蚀%电子束蒸镀%合金%热处理%刻蚀%外延片
氧化銦錫側蝕%電子束蒸鍍%閤金%熱處理%刻蝕%外延片
양화인석측식%전자속증도%합금%열처리%각식%외연편
氧化锢锡(ITO)对可见光具有高透过率及高电导率,常当作透明电极被广泛应用于发光元件上.使用合金的热处理方式,探讨了ITO经热处理后对刻蚀的影响.用电子束蒸镀机在GaN外延片上蒸镀一层ITO膜,用wIn2O3>=0.95:0.05的ITO锭做靶材,然后把每个外延片切成两半,其中一半在氮气氛中合金,另一半不做合金,然后所有的半圆片去做光刻,最后刻蚀ITO,去胶测量图中圃形(电极直径)的尺寸并比较侧蚀量的大小,发现合金后刻蚀ITO比不合金直接刻蚀ITO要好.
氧化錮錫(ITO)對可見光具有高透過率及高電導率,常噹作透明電極被廣汎應用于髮光元件上.使用閤金的熱處理方式,探討瞭ITO經熱處理後對刻蝕的影響.用電子束蒸鍍機在GaN外延片上蒸鍍一層ITO膜,用wIn2O3>=0.95:0.05的ITO錠做靶材,然後把每箇外延片切成兩半,其中一半在氮氣氛中閤金,另一半不做閤金,然後所有的半圓片去做光刻,最後刻蝕ITO,去膠測量圖中圃形(電極直徑)的呎吋併比較側蝕量的大小,髮現閤金後刻蝕ITO比不閤金直接刻蝕ITO要好.
양화고석(ITO)대가견광구유고투과솔급고전도솔,상당작투명전겁피엄범응용우발광원건상.사용합금적열처리방식,탐토료ITO경열처리후대각식적영향.용전자속증도궤재GaN외연편상증도일층ITO막,용wIn2O3>=0.95:0.05적ITO정주파재,연후파매개외연편절성량반,기중일반재담기분중합금,령일반불주합금,연후소유적반원편거주광각,최후각식ITO,거효측량도중포형(전겁직경)적척촌병비교측식량적대소,발현합금후각식ITO비불합금직접각식ITO요호.
