红外与激光工程
紅外與激光工程
홍외여격광공정
INFRARED AND LASER ENGINEERING
2012年
1期
7-9,42
,共4页
徐庆庆%陈建新%周易%李天兴%金巨鹏%林春%何力
徐慶慶%陳建新%週易%李天興%金巨鵬%林春%何力
서경경%진건신%주역%리천흥%금거붕%림춘%하력
InAs/GaSb%超晶格%红外探测器%分子束外延
InAs/GaSb%超晶格%紅外探測器%分子束外延
InAs/GaSb%초정격%홍외탐측기%분자속외연
InAs/GaSbⅡ类超晶格探测器是近年来国际上发展迅速的红外探测器,其优越性表现在高量子效率和高工作温度,以及良好的均匀性和较低的暗电流密度,因而受到广泛关注.报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外延生长和器件性能.通过优化分子束外延生长工艺,包括生长温度和快门顺序等,获得了具原子级表面平整的中波InAs/GaSb超晶格材料,X射线衍射零级峰的双晶半峰宽为28.8″,晶格失配△a/a=1.5×10-4.研制的p-i-n单元探测器在77 K温度下电流响应率达到0.48 A/W,黑体探测率为4.54×1010 cmHz1/2W,峰值探测率达到1.75×1011cmHz1/2W.
InAs/GaSbⅡ類超晶格探測器是近年來國際上髮展迅速的紅外探測器,其優越性錶現在高量子效率和高工作溫度,以及良好的均勻性和較低的暗電流密度,因而受到廣汎關註.報道瞭InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外延生長和器件性能.通過優化分子束外延生長工藝,包括生長溫度和快門順序等,穫得瞭具原子級錶麵平整的中波InAs/GaSb超晶格材料,X射線衍射零級峰的雙晶半峰寬為28.8″,晶格失配△a/a=1.5×10-4.研製的p-i-n單元探測器在77 K溫度下電流響應率達到0.48 A/W,黑體探測率為4.54×1010 cmHz1/2W,峰值探測率達到1.75×1011cmHz1/2W.
InAs/GaSbⅡ류초정격탐측기시근년래국제상발전신속적홍외탐측기,기우월성표현재고양자효솔화고공작온도,이급량호적균균성화교저적암전류밀도,인이수도엄범관주.보도료InAs/GaSb초정격중파재료적분자속외연생장화기건성능.통과우화분자속외연생장공예,포괄생장온도화쾌문순서등,획득료구원자급표면평정적중파InAs/GaSb초정격재료,X사선연사령급봉적쌍정반봉관위28.8″,정격실배△a/a=1.5×10-4.연제적p-i-n단원탐측기재77 K온도하전류향응솔체도0.48 A/W,흑체탐측솔위4.54×1010 cmHz1/2W,봉치탐측솔체도1.75×1011cmHz1/2W.
