机械设计与制造
機械設計與製造
궤계설계여제조
MACHINERY DESIGN & MANUFACTURE
2012年
5期
134-136
,共3页
ESD%GGNMOS%sentaurus仿真
ESD%GGNMOS%sentaurus倣真
ESD%GGNMOS%sentaurus방진
集成电路工艺目前已经发展到超深亚微米水平,静电放电危害变得更加突出.针对这一问题,首先介绍了基于CMOS工艺的静电放电保护电路结构及性能,并在此基础上讨论ESD电路的设计、仿真方法.这里以常用保护器件栅极接地NMOS(GGNMOS)为例,分析了尺寸参数对ESD保护性能的影响；同时给出了一个符合ESD保护性能要求的优化设计方案.器件采用TCAD软件Sentaurus进行工艺仿真和物理特性模拟,对设计给予了验证,结果显示在0.18μm工艺下本设计达到ESD防护指标.
集成電路工藝目前已經髮展到超深亞微米水平,靜電放電危害變得更加突齣.針對這一問題,首先介紹瞭基于CMOS工藝的靜電放電保護電路結構及性能,併在此基礎上討論ESD電路的設計、倣真方法.這裏以常用保護器件柵極接地NMOS(GGNMOS)為例,分析瞭呎吋參數對ESD保護性能的影響；同時給齣瞭一箇符閤ESD保護性能要求的優化設計方案.器件採用TCAD軟件Sentaurus進行工藝倣真和物理特性模擬,對設計給予瞭驗證,結果顯示在0.18μm工藝下本設計達到ESD防護指標.
집성전로공예목전이경발전도초심아미미수평,정전방전위해변득경가돌출.침대저일문제,수선개소료기우CMOS공예적정전방전보호전로결구급성능,병재차기출상토론ESD전로적설계、방진방법.저리이상용보호기건책겁접지NMOS(GGNMOS)위례,분석료척촌삼수대ESD보호성능적영향；동시급출료일개부합ESD보호성능요구적우화설계방안.기건채용TCAD연건Sentaurus진행공예방진화물리특성모의,대설계급여료험증,결과현시재0.18μm공예하본설계체도ESD방호지표.
