半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
1期
143-147
,共5页
孙涛%陈文桥%梁晋穗%陈兴国%胡晓宁%李言谨
孫濤%陳文橋%樑晉穗%陳興國%鬍曉寧%李言謹
손도%진문교%량진수%진흥국%호효저%리언근
HgCdTe%光伏探测器%钝化%倒易点阵%暗电流
HgCdTe%光伏探測器%鈍化%倒易點陣%暗電流
HgCdTe%광복탐측기%둔화%도역점진%암전류
在同一HgCdTe晶片上制备了单层ZnS钝化和双层(CdTe+ZnS)钝化的两种光伏探测器,对器件的性能进行了测试,发现双层钝化的器件具有较好的性能.通过理论计算,分析了器件的暗电流机制,发现单层钝化具有较高的表面隧道电流.通过高分辨X射线衍射中的倒易点阵技术研究了单双层钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷,而这些缺陷正是单层钝化器件具有较高表面隧道电流的原因.
在同一HgCdTe晶片上製備瞭單層ZnS鈍化和雙層(CdTe+ZnS)鈍化的兩種光伏探測器,對器件的性能進行瞭測試,髮現雙層鈍化的器件具有較好的性能.通過理論計算,分析瞭器件的暗電流機製,髮現單層鈍化具有較高的錶麵隧道電流.通過高分辨X射線衍射中的倒易點陣技術研究瞭單雙層鈍化對HgCdTe外延層晶格完整性的影響,髮現單層ZnS鈍化的HgCdTe外延層產生瞭大量缺陷,而這些缺陷正是單層鈍化器件具有較高錶麵隧道電流的原因.
재동일HgCdTe정편상제비료단층ZnS둔화화쌍층(CdTe+ZnS)둔화적량충광복탐측기,대기건적성능진행료측시,발현쌍층둔화적기건구유교호적성능.통과이론계산,분석료기건적암전류궤제,발현단층둔화구유교고적표면수도전류.통과고분변X사선연사중적도역점진기술연구료단쌍층둔화대HgCdTe외연층정격완정성적영향,발현단층ZnS둔화적HgCdTe외연층산생료대량결함,이저사결함정시단층둔화기건구유교고표면수도전류적원인.
