真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2007年
2期
127-130
,共4页
SiC非晶薄膜%表面形貌%电子激活能%电阻率
SiC非晶薄膜%錶麵形貌%電子激活能%電阻率
SiC비정박막%표면형모%전자격활능%전조솔
本文用磁控溅射法(RMS)制备了SiC非晶薄膜,并对其进行了退火处理.用AFM观察了薄膜的表面形貌,测量了薄膜的厚度、方块电阻和电阻-温度曲线,对其导电机理进行了分析.结果表明:薄膜表面平整、结构紧凑;退火处理前后电阻R和温度T均满足表达式ln R ∝ΔW/kT,电子激活能ΔW的变化范围为0.0142 eV～0.0185 eV,分析推断确定在25 ℃至250 ℃其导电机理为定域态间近程跳跃电导;退火前后薄膜的电子激活能和电阻率有相同的变化趋势,均随退火温度的升高而增大,这为薄膜的导电机理和激活能随退火温度变化趋势的正确性提供了有力的证据.
本文用磁控濺射法(RMS)製備瞭SiC非晶薄膜,併對其進行瞭退火處理.用AFM觀察瞭薄膜的錶麵形貌,測量瞭薄膜的厚度、方塊電阻和電阻-溫度麯線,對其導電機理進行瞭分析.結果錶明:薄膜錶麵平整、結構緊湊;退火處理前後電阻R和溫度T均滿足錶達式ln R ∝ΔW/kT,電子激活能ΔW的變化範圍為0.0142 eV～0.0185 eV,分析推斷確定在25 ℃至250 ℃其導電機理為定域態間近程跳躍電導;退火前後薄膜的電子激活能和電阻率有相同的變化趨勢,均隨退火溫度的升高而增大,這為薄膜的導電機理和激活能隨退火溫度變化趨勢的正確性提供瞭有力的證據.
본문용자공천사법(RMS)제비료SiC비정박막,병대기진행료퇴화처리.용AFM관찰료박막적표면형모,측량료박막적후도、방괴전조화전조-온도곡선,대기도전궤리진행료분석.결과표명:박막표면평정、결구긴주;퇴화처리전후전조R화온도T균만족표체식ln R ∝ΔW/kT,전자격활능ΔW적변화범위위0.0142 eV～0.0185 eV,분석추단학정재25 ℃지250 ℃기도전궤리위정역태간근정도약전도;퇴화전후박막적전자격활능화전조솔유상동적변화추세,균수퇴화온도적승고이증대,저위박막적도전궤리화격활능수퇴화온도변화추세적정학성제공료유력적증거.
