华中科技大学学报（自然科学版）
華中科技大學學報（自然科學版）
화중과기대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY(NATURE SCIENCE)
2007年
3期
1-4
,共4页
梁琳%余岳辉%颜家圣%周郁明
樑琳%餘嶽輝%顏傢聖%週鬱明
량림%여악휘%안가골%주욱명
通态电流上升率%反向开关晶体管%短脉冲%开关
通態電流上升率%反嚮開關晶體管%短脈遲%開關
통태전류상승솔%반향개관정체관%단맥충%개관
基于等离子体双极漂移模型,得到了超高速大功率半导体开关反向开关晶体管(RSD)的dI/dt耐量解析表达式,分析了RSD的主放电回路模型,在此基础上讨论了影响RSD的dI/dt特性的因素,dI/dt随预充电荷总量的增加、通过p基区的电子扩散时间和p基区电子寿命的缩短而增大,随主放电回路电压的上升和电感的减小而增大.RSD的dI/dt耐量可达1×105A·μs-1,远高于普通晶闸管,可应用于短脉冲大电流领域.
基于等離子體雙極漂移模型,得到瞭超高速大功率半導體開關反嚮開關晶體管(RSD)的dI/dt耐量解析錶達式,分析瞭RSD的主放電迴路模型,在此基礎上討論瞭影響RSD的dI/dt特性的因素,dI/dt隨預充電荷總量的增加、通過p基區的電子擴散時間和p基區電子壽命的縮短而增大,隨主放電迴路電壓的上升和電感的減小而增大.RSD的dI/dt耐量可達1×105A·μs-1,遠高于普通晶閘管,可應用于短脈遲大電流領域.
기우등리자체쌍겁표이모형,득도료초고속대공솔반도체개관반향개관정체관(RSD)적dI/dt내량해석표체식,분석료RSD적주방전회로모형,재차기출상토론료영향RSD적dI/dt특성적인소,dI/dt수예충전하총량적증가、통과p기구적전자확산시간화p기구전자수명적축단이증대,수주방전회로전압적상승화전감적감소이증대.RSD적dI/dt내량가체1×105A·μs-1,원고우보통정갑관,가응용우단맥충대전류영역.
