半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
8期
698-700
,共3页
0.15μm低压%漏电流%窄沟道隔离层%良率提升
0.15μm低壓%漏電流%窄溝道隔離層%良率提升
0.15μm저압%루전류%착구도격리층%량솔제승
0.15μm低压CMOS制程是一种前段采用0.13μm标准工艺,后段采用0.15μm标准工艺的特殊制程.该制程制造的电路具有运行速度快、电源功耗低、器件集成度高等特点,非常适合我国目前的设计水平和市场应用.但是这种特殊制程的工艺稳定性和兼容性相对较差,最突出的问题就是前段的漏电流较大;同时该制程对晶圆边缘区域与中央区域的线宽一致性提出了更高的要求.介绍了一种通过改进窄沟道氧化物隔离层的制造工艺方法,来降低漏电流,并通过调整晶圆的曝光方式来提高晶圆边缘区域的良率.
0.15μm低壓CMOS製程是一種前段採用0.13μm標準工藝,後段採用0.15μm標準工藝的特殊製程.該製程製造的電路具有運行速度快、電源功耗低、器件集成度高等特點,非常適閤我國目前的設計水平和市場應用.但是這種特殊製程的工藝穩定性和兼容性相對較差,最突齣的問題就是前段的漏電流較大;同時該製程對晶圓邊緣區域與中央區域的線寬一緻性提齣瞭更高的要求.介紹瞭一種通過改進窄溝道氧化物隔離層的製造工藝方法,來降低漏電流,併通過調整晶圓的曝光方式來提高晶圓邊緣區域的良率.
0.15μm저압CMOS제정시일충전단채용0.13μm표준공예,후단채용0.15μm표준공예적특수제정.해제정제조적전로구유운행속도쾌、전원공모저、기건집성도고등특점,비상괄합아국목전적설계수평화시장응용.단시저충특수제정적공예은정성화겸용성상대교차,최돌출적문제취시전단적루전류교대;동시해제정대정원변연구역여중앙구역적선관일치성제출료경고적요구.개소료일충통과개진착구도양화물격리층적제조공예방법,래강저루전류,병통과조정정원적폭광방식래제고정원변연구역적량솔.
