西安交通大学学报
西安交通大學學報
서안교통대학학보
JOURNAL OF XI'AN JIAOTONG UNIVERSITY
2011年
1期
117-121
,共5页
史永贵%戴培赟%杨建锋%刘光亮
史永貴%戴培赟%楊建鋒%劉光亮
사영귀%대배빈%양건봉%류광량
物理气相传输(PVT)%碳化硅单晶%热应力%有限元
物理氣相傳輸(PVT)%碳化硅單晶%熱應力%有限元
물리기상전수(PVT)%탄화규단정%열응력%유한원
利用有限元方法对物理气相传输(PVT)法生长碳化硅晶体过程中出现的3种典型生长形态进行了热应力分析.结果表明:在3种晶体生长形态中,热应力最大值都出现在晶体与石墨坩埚盖接触区域;平面型生长形态中温度场及相应的热应变场和等效应力场分布均比较均匀;凸面型和凹面型生长形态的温度场及相应的热应变场和等效应力场分布均变化较大,而且在凸面型的中间区域和凹面型的边缘区域也存在较大的应力值.因此,为提高晶体质量,提出在石墨坩埚盖上沉积或反应生成碳化硅过渡层来减小热应力的改良方法,同时调整碳化硅晶体生长系统,尽量保证碳化硅晶体的平面型生长形态.
利用有限元方法對物理氣相傳輸(PVT)法生長碳化硅晶體過程中齣現的3種典型生長形態進行瞭熱應力分析.結果錶明:在3種晶體生長形態中,熱應力最大值都齣現在晶體與石墨坩堝蓋接觸區域;平麵型生長形態中溫度場及相應的熱應變場和等效應力場分佈均比較均勻;凸麵型和凹麵型生長形態的溫度場及相應的熱應變場和等效應力場分佈均變化較大,而且在凸麵型的中間區域和凹麵型的邊緣區域也存在較大的應力值.因此,為提高晶體質量,提齣在石墨坩堝蓋上沉積或反應生成碳化硅過渡層來減小熱應力的改良方法,同時調整碳化硅晶體生長繫統,儘量保證碳化硅晶體的平麵型生長形態.
이용유한원방법대물리기상전수(PVT)법생장탄화규정체과정중출현적3충전형생장형태진행료열응력분석.결과표명:재3충정체생장형태중,열응력최대치도출현재정체여석묵감과개접촉구역;평면형생장형태중온도장급상응적열응변장화등효응력장분포균비교균균;철면형화요면형생장형태적온도장급상응적열응변장화등효응력장분포균변화교대,이차재철면형적중간구역화요면형적변연구역야존재교대적응력치.인차,위제고정체질량,제출재석묵감과개상침적혹반응생성탄화규과도층래감소열응력적개량방법,동시조정탄화규정체생장계통,진량보증탄화규정체적평면형생장형태.
