电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2011年
4期
29-32,37
,共5页
周东祥%郑亚楠%简刚%龚树萍
週東祥%鄭亞楠%簡剛%龔樹萍
주동상%정아남%간강%공수평
电泳沉积%CoFe2O4厚膜%铁磁性能
電泳沉積%CoFe2O4厚膜%鐵磁性能
전영침적%CoFe2O4후막%철자성능
利用电泳沉积法在Pt/Al2O3衬底上成功制备了纳米CoFeqO4厚膜,分析了电泳沉积纳米CoFe2O4厚膜的影响因素.利用Zeta电势测试仪测试了悬浮液的Zeta电势和电导率,利用X射线衍射仪和场发射扫描电子显微镜分析了厚膜的组分和微观形貌,利用振动样品磁强计和漏电流测试仪测试了厚膜的性能.结果表明,电泳沉积法制备CoFe2O4厚膜是可行的,且沉积条件的选择对形成良好CoFeqO4厚膜有重要影响.CoFe2O4厚膜的矫顽力和比饱和磁矩分别为225.1 kA/m和31.17A·m2/kg,漏电流密度为3.0×10-6A/cm2.
利用電泳沉積法在Pt/Al2O3襯底上成功製備瞭納米CoFeqO4厚膜,分析瞭電泳沉積納米CoFe2O4厚膜的影響因素.利用Zeta電勢測試儀測試瞭懸浮液的Zeta電勢和電導率,利用X射線衍射儀和場髮射掃描電子顯微鏡分析瞭厚膜的組分和微觀形貌,利用振動樣品磁彊計和漏電流測試儀測試瞭厚膜的性能.結果錶明,電泳沉積法製備CoFe2O4厚膜是可行的,且沉積條件的選擇對形成良好CoFeqO4厚膜有重要影響.CoFe2O4厚膜的矯頑力和比飽和磁矩分彆為225.1 kA/m和31.17A·m2/kg,漏電流密度為3.0×10-6A/cm2.
이용전영침적법재Pt/Al2O3츤저상성공제비료납미CoFeqO4후막,분석료전영침적납미CoFe2O4후막적영향인소.이용Zeta전세측시의측시료현부액적Zeta전세화전도솔,이용X사선연사의화장발사소묘전자현미경분석료후막적조분화미관형모,이용진동양품자강계화루전류측시의측시료후막적성능.결과표명,전영침적법제비CoFe2O4후막시가행적,차침적조건적선택대형성량호CoFeqO4후막유중요영향.CoFe2O4후막적교완력화비포화자구분별위225.1 kA/m화31.17A·m2/kg,루전류밀도위3.0×10-6A/cm2.
