半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
10期
778-781,785
,共5页
氧化锌%纳米线%场效应晶体管%背栅%退火
氧化鋅%納米線%場效應晶體管%揹柵%退火
양화자%납미선%장효응정체관%배책%퇴화
成功制作了氧化锌纳米线沟道场效应晶体管器件,所制作器件的电学性能通过I-V测试进行了分析.使用了水浴法生长了单晶性完整的氧化锌纳米线,该纳米线被用作背栅场效应晶体管的沟道,采用光刻方式制备的器件具有良好的直流特性,进行退火后进一步改善器件的源漏接触,提高器件性能,最终制备成功的场效应晶体管显示出p型MOS的特性,其开关态电流比达到105.在Vds=2.5 V时,跨导峰值为0.4 μS,栅氧电容约为0.9fF,器件夹断电压Vth为0.6V,沟道迁移率约为87.1 cm2/V·s,计算得到氧化锌纳米线载流子浓度ne=6.8×108 cm-3.在Vgs=0 V时,器件沟道电阻率为100 Ω·cm.
成功製作瞭氧化鋅納米線溝道場效應晶體管器件,所製作器件的電學性能通過I-V測試進行瞭分析.使用瞭水浴法生長瞭單晶性完整的氧化鋅納米線,該納米線被用作揹柵場效應晶體管的溝道,採用光刻方式製備的器件具有良好的直流特性,進行退火後進一步改善器件的源漏接觸,提高器件性能,最終製備成功的場效應晶體管顯示齣p型MOS的特性,其開關態電流比達到105.在Vds=2.5 V時,跨導峰值為0.4 μS,柵氧電容約為0.9fF,器件夾斷電壓Vth為0.6V,溝道遷移率約為87.1 cm2/V·s,計算得到氧化鋅納米線載流子濃度ne=6.8×108 cm-3.在Vgs=0 V時,器件溝道電阻率為100 Ω·cm.
성공제작료양화자납미선구도장효응정체관기건,소제작기건적전학성능통과I-V측시진행료분석.사용료수욕법생장료단정성완정적양화자납미선,해납미선피용작배책장효응정체관적구도,채용광각방식제비적기건구유량호적직류특성,진행퇴화후진일보개선기건적원루접촉,제고기건성능,최종제비성공적장효응정체관현시출p형MOS적특성,기개관태전류비체도105.재Vds=2.5 V시,과도봉치위0.4 μS,책양전용약위0.9fF,기건협단전압Vth위0.6V,구도천이솔약위87.1 cm2/V·s,계산득도양화자납미선재류자농도ne=6.8×108 cm-3.재Vgs=0 V시,기건구도전조솔위100 Ω·cm.
