微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2005年
3期
226-230
,共5页
张楷亮%宋志棠%封松林%CHEN Bomy
張楷亮%宋誌棠%封鬆林%CHEN Bomy
장해량%송지당%봉송림%CHEN Bomy
化学机械抛光%平坦化%薄膜%特大规模集成电路%抛光液
化學機械拋光%平坦化%薄膜%特大規模集成電路%拋光液
화학궤계포광%평탄화%박막%특대규모집성전로%포광액
随着半导体行业的飞速发展,集成电路特征尺寸的微细化,半导体薄膜表面的高平坦化对器件高性能、低成本、高成品率有着重要的影响.作为唯一能实现全局平坦化方法的化学机械抛光(CMP),近年来发展迅速,应用广泛.文章综述了化学机械抛光技术的发展现状:包括化学机械抛光设备、抛光液、抛光机理模型及应用研究进展;在此基础上,对CMP下一步发展的方向及其应用前景进行了展望.
隨著半導體行業的飛速髮展,集成電路特徵呎吋的微細化,半導體薄膜錶麵的高平坦化對器件高性能、低成本、高成品率有著重要的影響.作為唯一能實現全跼平坦化方法的化學機械拋光(CMP),近年來髮展迅速,應用廣汎.文章綜述瞭化學機械拋光技術的髮展現狀:包括化學機械拋光設備、拋光液、拋光機理模型及應用研究進展;在此基礎上,對CMP下一步髮展的方嚮及其應用前景進行瞭展望.
수착반도체행업적비속발전,집성전로특정척촌적미세화,반도체박막표면적고평탄화대기건고성능、저성본、고성품솔유착중요적영향.작위유일능실현전국평탄화방법적화학궤계포광(CMP),근년래발전신속,응용엄범.문장종술료화학궤계포광기술적발전현상:포괄화학궤계포광설비、포광액、포광궤리모형급응용연구진전;재차기출상,대CMP하일보발전적방향급기응용전경진행료전망.
