高等学校化学学报
高等學校化學學報
고등학교화학학보
CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES
2005年
10期
1926-1929
,共4页
杨景海%宫杰%杨丽丽%范厚刚%赵庆祥
楊景海%宮傑%楊麗麗%範厚剛%趙慶祥
양경해%궁걸%양려려%범후강%조경상
InAs量子点%界面缺陷%光致发光
InAs量子點%界麵缺陷%光緻髮光
InAs양자점%계면결함%광치발광
用分子束外延系统在GaAs(001)衬底上生长InAs量子点, 在InAs量子点上插入3 nm的In0.4Ga0.6As层, 可将量子点发射波长调谐到1 300 nm附近. 对样品进行氢等离子处理, 研究处理前后样品的InAs量子点光致发光(PL)强度的变化. 结果表明, 在InAs量子点与相邻层的界面上以及GaAs层中存在界面缺陷, 采用氢等离子处理可有效地抑制界面缺陷, 大幅度地提高发光效率.
用分子束外延繫統在GaAs(001)襯底上生長InAs量子點, 在InAs量子點上插入3 nm的In0.4Ga0.6As層, 可將量子點髮射波長調諧到1 300 nm附近. 對樣品進行氫等離子處理, 研究處理前後樣品的InAs量子點光緻髮光(PL)彊度的變化. 結果錶明, 在InAs量子點與相鄰層的界麵上以及GaAs層中存在界麵缺陷, 採用氫等離子處理可有效地抑製界麵缺陷, 大幅度地提高髮光效率.
용분자속외연계통재GaAs(001)츤저상생장InAs양자점, 재InAs양자점상삽입3 nm적In0.4Ga0.6As층, 가장양자점발사파장조해도1 300 nm부근. 대양품진행경등리자처리, 연구처리전후양품적InAs양자점광치발광(PL)강도적변화. 결과표명, 재InAs양자점여상린층적계면상이급GaAs층중존재계면결함, 채용경등리자처리가유효지억제계면결함, 대폭도지제고발광효솔.
